微电子工业中化合物A作为半导体、液晶和薄膜太阳能电池等生产过程中的蚀刻剂.在对硅、氮化硅等材料进行蚀刻时具有非常优异的蚀刻速率和选择性,在被蚀刻物表面不留任何残留物,对表面无污染.
已知:
①化合物A由两种元素组成,常温下是一种无色、无臭的气体,能助燃,当温度超过350℃时会缓慢分解成两种气体单质,同温同压下气体A相对于某常见黄绿色气态单质的相对密度为1;
②化合物B与单质C在一定条件下反应生成化合物A及化合物D,常温下A、B、C、D均为气体.
③B、D的分子具有相同的电子总数,且均极易溶于水,D的水溶液显酸性常用来作玻璃雕刻的腐蚀液;
④C、A均能与水发生反应.其中,C与水反应生成D溶液及气体单质F;而A与水反应则生成两种酸溶液及一种气态氧化物E(无色、有毒、难溶于水).
(1)化合物B的结构式是
 
,用相应的化学用语表示B溶于水并发生电离的过程
 

(2)气体A不可燃但能助燃,故气体A的应远离火种且与还原剂、易燃或可燃物等分开存放.结构决定性质,试从结构的角度加以分析:
 

(3)以A对氮化硅(Si3N4)材料的蚀刻为例,用反应方程式来解释为什么在被蚀刻物表面不留任何残留物
 

(4)“已知④”中A与水发生的反应属于氧化还原反应,若反应中生成的气态氧化物E标况下为448mL,则生成两种酸溶液中作为氧化产物的那种酸其物质的量为
 
mol.
(5)设计实验证明D是一种弱电解质
 
铈、铬、钴、镍虽不是中学阶段常见的金属元素,但在工业生产中有着重要作用.
(1)二氧化铈 (CeO2)在平板电视显示屏中有着重要应用.CeO2在稀硫酸和H2O2的作用下可生成Ce3+,CeO2在该反应中作
 
剂.
(2)自然界Cr主要以+3价和+6价存在.+6价的Cr能引起细胞的突变,可以用亚硫酸钠将其还原为+3价的铬.完成并配平下列离子方程式:
 
Cr2O72-+
 
SO32-+
 
=
 
Cr3++
 
SO42-+
 
H2O
(3)某锂离子电池用含有Li+的导电固体作为电解质.充电时,Li+还原为Li,并以原子形式嵌入电极材料C6中,以LiC6表示,电池反应为CoO2+LiC6 
放电
充电
 LiCoO2+C6.放电时的正极反应式为
 
.如图表示该装置工作时电子和离子的移动方向,此时C6电极作
 
极.
(4)脱硝.利用甲烷催化还原NOx:
CH4(g)+4NO2(g)═4NO(g)+CO2(g)+2H2O(g)△H1=-574kJ?mol-1
CH4(g)+4NO(g)═2N2(g)+CO2(g)+2H2O(g)△H2=-1160kJ?mol-1
甲烷直接将NO2还原为N2的热化学方程式为
 

(5)NiSO4?6H2O是一种绿色易溶于水的晶体,广泛用于镀镍、电池等,可由电镀废渣(除镍外,还含有铜、锌、铁等元素)为原料获得.操作步骤如下:

废渣稀硫酸过滤滤液Ⅰ调pH,加入FeS过滤加H2O2,调pH过滤加Na2CO3过滤Ni2+CO3滤液Ⅱ滤液Ⅲ稀硫酸Ni2+HSO4一系列操作NiSO4?6H2O
①向滤液Ⅰ中加入FeS是为了除去Cu2+、Zn2+等杂质,除去Cu2+的离子方程式为
 

②对滤液Ⅱ调pH的目的是除去Fe3+,其原理是Fe3++3H2O?Fe(OH)3+3H+,已知25℃时Ksp[Fe(OH)3]=2.8×10-39,则该温度下上述反应的平衡常数K=
 

③滤液Ⅲ溶质的主要成分是NiSO4,加Na2CO3过滤后,再加适量稀硫酸溶解又生成NiSO4,这两步操作的目的是
 
 0  133909  133917  133923  133927  133933  133935  133939  133945  133947  133953  133959  133963  133965  133969  133975  133977  133983  133987  133989  133993  133995  133999  134001  134003  134004  134005  134007  134008  134009  134011  134013  134017  134019  134023  134025  134029  134035  134037  134043  134047  134049  134053  134059  134065  134067  134073  134077  134079  134085  134089  134095  134103  203614 

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