题目内容

下面是改良西门子法生产多晶硅的工艺流程。

(1)用惰性电极电解饱和食盐水,写出常温下X与Z反应的化学方程式

(2)在合成SiHCl3的过程中,还会有生成副产物SiCl4。已知两物质的沸点分别为57.6℃和31.8℃,则提纯SiHCl3的方法是

(3)SiHCl3提纯后用H2还原:SiHCl3(g)+H2(g) Si(s)+3HCl(g)。不同温度及不同时,反应物X的平衡转化率关系如图图20-1所示。

X是 (填“H2”或“SiHCl3”)。

②上述反应的平衡常数K(1150℃) K(950℃)(填“>”、“<”或“=”)。

(4)SiH4(硅烷)法生产高纯多晶硅是非常优异的方法。用粗硅作原料,熔融盐电解法制取硅烷原理如图20-2所示,电解时阳极的电极反应式为

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