题目内容
键能的大小可以衡量化学键的强弱．下列说法中错误的是（ ）
| 化学键 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
| 键能/kJ?mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
| A．SiCl4的熔点比SiC熔点低 |
| B．HCl的稳定性比HI稳定性高 |
| C．C-C的键能大于Si-Si |
| D．拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ |
A、SiCl4的是分子晶体，SiC是原子晶体，熔点原子晶体＞分子晶体，所以SiCl4的熔点比SiC熔点低，故A正确；
B、H-I键的键长比H-Cl长，键长越短键能越大，化学键越稳定，氢化物越稳定，所以HCl的稳定性比HI稳定性高，故B正确；
C、C原子半径小于Si原子半径，C-C键的键长比Si-Si键的短，键长越短化学键越稳定，键能越大，所以C-C的键能大于Si-Si，故C正确；
D、晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构，每个Si原子形成4个Si-Si键，每个Si-Si键为1个Si原子通过
Si-Si键，所以1mol晶体硅中含有Si-Si键为1mol×4×
=2mol，拆开1mol晶体硅中的化学键所吸收的能量为176kJ/mol×2mol=352kJ，故D错误．
故选D．
B、H-I键的键长比H-Cl长，键长越短键能越大，化学键越稳定，氢化物越稳定，所以HCl的稳定性比HI稳定性高，故B正确；
C、C原子半径小于Si原子半径，C-C键的键长比Si-Si键的短，键长越短化学键越稳定，键能越大，所以C-C的键能大于Si-Si，故C正确；
D、晶体硅中1个Si原子与周围的4个Si形成正四面体空间网状结构，每个Si原子形成4个Si-Si键，每个Si-Si键为1个Si原子通过
| 1 |
| 2 |
| 1 |
| 2 |
故选D．
练习册系列答案
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键能的大小可以衡量化学键的强弱，也可以用于估算化学反应的反应热（△H），化学反应的△H等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的键能之和的差．参考以下表格的键能数据，回答下列问题：
（6分）键能的大小可以衡量化学键的强弱，也可以用于估算化学反应的反应热（△H），化学反应的△H等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的化学键能之和的差。参考以下表格的键能数据，回答下列问题：
| 化学键 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
| 键能/KJ.mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
SiC_______Si; SiCl4_______SiO2
（2）能否根据键能的数据判断单质Si晶体和化合物SiCl4的熔点高低？ （填“能”或“不能”）原因是：
（3）工业上高纯硅可通过下列反应制取：SiCl4（g）+2H2（g）
Si(s)+4HCl(g)，计算该反应的反应热△H为 。 键能的大小可以衡量化学键的强弱，也可以用于估算化学反应的反应热（△H），化学反应的△H等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的键能之和的差。参考以下表格的键能数据，回答下列问题：
| 化学键 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
| 键能/kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
SiC__________Si； SiCl4___________SiO2
（2）能不能根据键能的数据判断单质Si 和化合物SiCl4的熔点高低？____________（填“能”或“不能”），理由是___________________（提示对比二者晶体类型及内部微粒作用力）
（3）如右图立方体中心的“·”表示金刚石晶体中的一个原子，请在立方体的顶点用“·”表示出与之紧邻的碳原子；
（4）工业上高纯硅可通过下列反应制取：
SiCl4(g) + 2H2（g） 高温 Si（s）+4HCl（g)
计算该反应的反应热△H为______________________（要包含数据和焓变单位）
（每空2分，共12分）键能的大小可以衡量化学键的强弱，也可以用于估算化学反应的反应热（△H），化学反应的△H等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的键能之和的差。参考以下表格的键能数据，回答下列问题：
|
化学键 |
Si—O |
Si—Cl |
H—H |
H—Cl |
Si—Si |
Si—C |
|
键能/kJ·mol-1 |
460 |
360 |
436 |
431 |
176 |
347 |
（1）比较下列两组物质的熔点高低（填“>”或“<”）
SiC Si； SiCl4 SiO2
（2）能不能根据键能的数据判断单质Si 和化合物SiCl4的熔点高低？ （填“能”或“不能”），原因是 。
（3）如图立方体中心的“· ”表示金刚石晶体中的一个原子，请在立方体的顶点用“· ”表示出与之紧邻的碳原子
（4）工业上高纯硅可通过下列反应制取：SiCl4(g) + 2H2（g） 高温 Si（s）+4HCl（g)
计算该反应的反应热△H为__________________。