题目内容
图表法、图象法是常用的科学研究方法.

Ⅰ.图(A)是短周期某主族元素X的电离能所示情况.则X元素位于周期表的第 族.图B是研究部分元素的氢化物的沸点变化规律的图象,折线c可以表达出第 族元素氢化物的沸点的变化规律.
Ⅱ.下表(图1)是元素周期表的一部分,表中所列的字母分别代表一种化学元素.

试回答下列问题:
(1)请写出元素o的外围电子排布式: .
(2)由j原子跟c原子以1:1相互交替结合而形成的晶体,晶体类型与晶体j相同.两者相比熔点更高的是 (填化学式),试从结构角度加以解释: .
(3)i单质晶体中原子的堆积方式如图2-甲所示,其晶胞特征如图2-乙所示,原子之间相互位置关系的平面图如图2-丙所示.请回答:
晶胞中i原子的配位数为 ,一个晶胞中i原子的数目为 ,该晶胞的空间利用率为 .
Ⅰ.图(A)是短周期某主族元素X的电离能所示情况.则X元素位于周期表的第
Ⅱ.下表(图1)是元素周期表的一部分,表中所列的字母分别代表一种化学元素.
试回答下列问题:
(1)请写出元素o的外围电子排布式:
(2)由j原子跟c原子以1:1相互交替结合而形成的晶体,晶体类型与晶体j相同.两者相比熔点更高的是
(3)i单质晶体中原子的堆积方式如图2-甲所示,其晶胞特征如图2-乙所示,原子之间相互位置关系的平面图如图2-丙所示.请回答:
晶胞中i原子的配位数为
考点:晶胞的计算,元素周期表的结构及其应用,元素周期律和元素周期表的综合应用
专题:元素周期律与元素周期表专题,化学键与晶体结构
分析:I.图A中电离能是元素的原子失去电子所需要的能量,根据电离能的大小确定最外层电子数,进而确定所处的族序数;
图B中非金属元素的氢化物沸点随着相对分子质量的增大而升高;存在氢键的物质的沸点较高;
II.(1)元素o为Fe,原子序数为26;
(2)由j原子跟c原子以1:1相互交替结合而形成的晶体(SiC),晶体类型与晶体j(Si)相同,均为原子晶体,键长短,键能大,则熔沸点高;
(3)该类型为面心立方最密堆积,配位数=3××
=12,i原子位于顶点和面心,利用均摊法计算晶胞中原子数目.
图B中非金属元素的氢化物沸点随着相对分子质量的增大而升高;存在氢键的物质的沸点较高;
II.(1)元素o为Fe,原子序数为26;
(2)由j原子跟c原子以1:1相互交替结合而形成的晶体(SiC),晶体类型与晶体j(Si)相同,均为原子晶体,键长短,键能大,则熔沸点高;
(3)该类型为面心立方最密堆积,配位数=3××
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解答:
解:I.图A中电离能是元素的原子失去电子所需要的能量,根据图象可以知道,元素的第三电离能之后数据相当大,说明易失去三个电子,最外层电子数为3,故X元素为第ⅢA的元素;图B中元素的氢化物的沸点变化规律的图象中,折线c可以得出该族元素的氢化物的沸点随着原子序数的递增,从上到下是逐渐升高的,符合第IVA元素的性质,没有特例出现,A点所示的氢化物中含氢键,沸点较高,
故答案为:ⅢA;ⅣA;
Ⅱ.(1)元素o为Fe,原子序数为26,外围电子排布式为3d64s2,故答案为:3d64s2;
(2)j原子跟c原子以1:1相互交替结合而形成的晶体(SiC),晶体类型与晶体j(Si)相同,均为原子晶体,因SiC晶体与晶体Si都是原子晶体,由于C的原子半径小,SiC中C-Si键键长比晶体Si中Si-Si键键长短,键能大,因而SiC的熔、沸点高,
故答案为:SiC;因SiC晶体与晶体Si都是原子晶体,由于C的原子半径小,SiC中C-Si键键长比晶体Si中Si-Si键键长短,键能大,因而熔、沸点高;
(3)该类型为面心立方最密堆积,空间利用率为74%,从顶点原子看,与i最近的原子在面心,则配位数=3×8×
=12,i原子位于顶点和面心,一个晶胞中i原子的数目为8×
+6×
=4个,故答案为:12;4;74%.
故答案为:ⅢA;ⅣA;
Ⅱ.(1)元素o为Fe,原子序数为26,外围电子排布式为3d64s2,故答案为:3d64s2;
(2)j原子跟c原子以1:1相互交替结合而形成的晶体(SiC),晶体类型与晶体j(Si)相同,均为原子晶体,因SiC晶体与晶体Si都是原子晶体,由于C的原子半径小,SiC中C-Si键键长比晶体Si中Si-Si键键长短,键能大,因而SiC的熔、沸点高,
故答案为:SiC;因SiC晶体与晶体Si都是原子晶体,由于C的原子半径小,SiC中C-Si键键长比晶体Si中Si-Si键键长短,键能大,因而熔、沸点高;
(3)该类型为面心立方最密堆积,空间利用率为74%,从顶点原子看,与i最近的原子在面心,则配位数=3×8×
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点评:本题考查较综合,涉及晶胞计算、第一电离能、沸点与氢键、晶体类型及熔沸点比较等,题目综合性较强,侧重物质结构与性质的考查,综合性较强,题目难度中等.
练习册系列答案
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