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电子工业中清冼硅片上的二氧化硅的反应是:SiO
2
(s)+4HF(g)==SiF
4
(g)+2H
2
O(g) 其△H(298K)== -94.0kJ·mol
-1
△S(298K)== -75.8J·mol
-1
·K
-1
设△H和△S不随温度变化而变化,试求此反应自发进行的温度条件。
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