题目内容

1.(1)第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与单晶硅相似.Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1.在GaN晶体中,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体.在四大晶体类型中,GaN属于原子晶体.
(2)铜、铁元素能形成多种配合物.微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有能够接受孤电子对的空轨道的原子或离子
(3)如图1,CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子:请回答下列问题:

①H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是O>N>H.
②SO2分子的空间构型为V形.与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为SO42-、SiO44-
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为sp3杂化.乙二胺和三甲胺[N(CH33]均属于胺,但乙二胺比三甲胺的沸点高的多,原因是乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键.
④(3)中所形成的配离子中含有的化学键类型有abd.
a.配位键     b.极性键     c.离子键    d.非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如图2所示,其中Cl原子的配位数为4.

分析 (1)Ga是31号元素,其基态原子核外有31个电子,根据构造原理书写其原子核外电子排布式;单晶硅是Si正四面体向空间延伸的立体网状结构,为原子晶体,GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为与但晶硅中Si的结构相似;
(2)微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有能够接受孤电子对的空轨道的原子或离子;
(3)①根据电负性的变化规律比较电负性大小;
②根据判断SO2分子含有的δ键以及孤电子对数判断空间构型,根据SnCl4含有的最外层电子数为50,以及含有5个原子判断等电子体;
③根据价层电子对数判断乙二胺分子中氮原子的杂化类型,根据是否含有氢键分析二者熔沸点高低不同的原因;
④根据成键原子的特点判断化学键类型;
⑤根据晶体结构特点分析Cl原子的配位数.

解答 解:(1)Ga原子是31号元素,Ga原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p1;GaN晶体结构与单晶硅相似,GaN属于原子晶体,每个Ga原子与4个N原子相连,与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为正四面体,
故答案为:1s22s22p63s23p63d104s24p1;正四面体;原子;
(2)微粒间形成配位键的条件是:一方是能够提供孤电子对的原子或离子,另一方是具有能够接受孤电子对的空轨道的原子或离子,
故答案为:能够接受孤电子对的空轨道;
(3)①在元素周期表中同一周期从左到右元素的电负性逐渐增强,同一主族从上到下元素的电负性逐渐减弱,可知电负性强弱顺序为O>N>H,
故答案是:O>N>H;
②SO2分子中含有2个δ键,孤电子对数=$\frac{6-2×2}{2}$=1,所以分子为V形,SnCl4含有的价层电子数为50,并含有5个原子,与之为电子体的离子有SO42-、SiO44-等,
故答案为:V形; SO42-、SiO44-等;
③乙二胺分子中氮原子形成4个δ键,价层电子对数为4,氮原子为sp3杂化,乙二胺分子间可以形成氢键,物质的熔沸点较高,而三甲胺分子间不能形成氢键,熔沸点较低,
故答案为:sp3杂化;乙二胺分子间可以形成氢键,三甲胺分子间不能形成氢键;
④(3)中所形成的配离子中含有的化学键中N与Cu之间为配位键,C-C键为非极性键,C-N、N-H、C-H键为极性键,不含离子键,
故答案为:abd;
⑤从CuCl的晶胞可以判断,每个铜原子与4个Cl距离最近且相等,即Cu的配位数为4,根据化学式可知Cl的配位数也为4,
故答案为:4.

点评 本题考查较为综合,涉及电子排布式、分子的立体构型、杂化轨道类型、氢键、化学键类型以及晶体结构分析等知识,题目难度中等,本题注意晶胞配位数的判断方法,侧重于考查学生的分析能力和对基础知识的应用能力.

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