题目内容

7.氮族元素和硼族元素在生产生活中有很重要的地位.
(1)写出硼族元素Ga的基态原子核外电子排布式1s22s22p63s23p63d104s24p1.
(2)NF3的分子构型为三角锥形,NO3-的空间构型为平面三角形,1mol NO3-中含有的σ键的数目为:3NA.
(3)氮化硼的立方结晶的变体被认为是已知的最硬的物质.BN的晶体结构与金刚石相似,其中B原子的杂化方式为sp3.
(4)元素第一电离能的大小:As>(填“<”“>”或“=”)Ga,原因是As与Ga位于同一周期,分别为ⅤA与ⅢA族,As的p轨道处于半充满的稳定状态,故第一电离能:As>Ga.
(5)相同条件下,在水中的溶解度:NH3>(填“<”“>”或“=”)PH3,原因是NH3分子与水分子之间能够形成氢键.
(6)已知立方砷化镓晶胞的结构如图所示,其晶胞边长为c pm.则砷化镓的化学式为GaAs,晶胞中As原子和它最近的Ga原子之间的距离为$\frac{\sqrt{3}c}{4}$pm(用含c的式子表示),砷化镓的密度为$\frac{5.8×1{0}^{32}}{{c}^{3}{N}_{A}}$g•cm-3(设NA为阿伏加德罗常数的值,用含c、NA的式子表示,原子量:Ga-70,As-75).

分析 (1)Ga元素原子核外电子数为31,根据能量最低原理书写核外电子排布式;
(2)NF3中N原子孤电子对数=$\frac{5-1×3}{2}$=1,价层电子对数=3+1=4;NO3-中N原子孤电子对数=$\frac{5+1-2×3}{2}$=0,价层电子对数=3+0=3,1mol NO3-中含有3mol σ键;
(3)BN的晶体结构与金刚石相似,B原子与N原子之间形成4个B-N(其中1个为配位键),杂化轨道数目为4;
(4)同周期随原子序数增大,元素第一电离能呈增大趋势,且As元素原子的p轨道为半满稳定状态;
(5)NH3分子与水分子之间能够形成氢键,增大溶解性;
(6)利用均摊法计算晶胞中含有Ga原子、As原子数目,可以确定其化学式;
As原子与周围的4个Ga原子形成正四面体,As原子与晶胞顶点Ga原子连线处于晶胞题对角线上,且Ga原子与As原子之间的距离为晶胞体对角线长度的$\frac{1}{4}$倍,所以晶胞的体对角线为晶胞棱长的$\sqrt{3}$倍;
结合晶胞中含有原子数目,表示出晶胞质量,再根据ρ=$\frac{m}{V}$计算密度.

解答 解:(1)Ga元素原子核外电子数为31,核外电子排布式为:1s22s22p63s23p63d104s24p1,
故答案为:1s22s22p63s23p63d104s24p1;
(2)NF3中N原子孤电子对数=$\frac{5-1×3}{2}$=1,价层电子对数=3+1=4,为三角锥形;NO3-中N原子孤电子对数=$\frac{5+1-2×3}{2}$=0,价层电子对数=3+0=3,为平面三角形,1mol NO3-中含有3mol σ键,即含有3NA个σ键,
故答案为:三角锥形;平面三角形;3NA;
(3)BN的晶体结构与金刚石相似,B原子与N原子之间形成4个B-N(其中1个为配位键),杂化轨道数目为4,故B原子采取杂化,
故答案为:sp3;
(4)As与Ga位于同一周期,分别为ⅤA与ⅢA族,As的p轨道处于半充满的稳定状态,故第一电离能:As>Ga,
故答案为:>;As与Ga位于同一周期,分别为ⅤA与ⅢA族,As的p轨道处于半充满的稳定状态,故第一电离能:As>Ga;
(5)NH3分子与水分子之间能够形成氢键,在水中的溶解度:NH3>PH3,
故答案为:>;NH3分子与水分子之间能够形成氢键;
(6)晶胞中含有Ga原子数为8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,As原子数目为4,故化学式为GaAs,
As原子与周围的4个Ga原子形成正四面体,As原子与晶胞顶点Ga原子连线处于晶胞题对角线上,且Ga原子与As原子之间的距离为晶胞体对角线长度的$\frac{1}{4}$倍,所以晶胞的体对角线为晶胞棱长的$\sqrt{3}$倍,则Ga原子与As原子之间的距离为$\frac{\sqrt{3}c}{4}$ pm,
晶胞质量为4×$\frac{70+75}{{N}_{A}}$g,则晶胞密度为4×$\frac{70+75}{{N}_{A}}$g÷(c×10-10 cm)3=$\frac{5.8×1{0}^{32}}{{c}^{3}{N}_{A}}$g•cm-3,
故答案为:GaAs;$\frac{\sqrt{3}c}{4}$;$\frac{5.8×1{0}^{32}}{{c}^{3}{N}_{A}}$.

点评 本题是对物质结构与性质的考查,涉及核外电子排布、杂化方式与空间构型、电离能、氢键、晶胞计算计算等,(6)中距离计算为易错点、难点,需学生具备一定的数学计算能力.

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