题目内容
16.(1)基态硅原子的电子排布式:1s22s22p63s23p2.
(2)有一类组成最简单的有机硅化合物叫硅烷.硅烷的组成、结构与相应的烷烃相似.硅烷中硅采取sp3杂化方式,硅烷的沸点与相对分子质量的关系如图所示,呈现这种变化的原因是硅烷的相对分子质量越大,分子间范德华力越强.
(3)硒和硫同为VIA族元素,与其相邻的元素有砷和溴,则三种元素的电负性由小到大的顺序为As<Se<Br. (用元素符号表示)
(4)气态SeO3分子的立体构型为平面三角形,与SeO3互为等电子体的一种离子为CO32-或NO3-(填化学式).
(5)一种铜金合金晶体具有面心立方最密堆积结构,在晶胞中金原子位于顶点,铜原子位于面心,则该合金中金原子(Au)与铜原子(Cu)个数比为1:3;若该晶体的晶胞棱长为a pm,则该合金密度为$\frac{\frac{197+64×3}{{N}_{A}}}{(a×1{0}^{-10})^{3}}$g/cm 3.(列出计算式,不要求计算结果,阿伏伽德罗常数的值为NA)
分析 (1)硅是14号元素,根据原子核外电子排布规律可以写出电子排布式;
(2)硅烷的组成、结构与相应的烷烃相似,所以硅烷中硅采取sp3杂化方式;分子晶体的沸点高低取决于分子间作用力,而分子间作用力与相对分子质量的大小有关,据此答题;
(3)砷、硒、溴三种元素都是第4周期非金属元素,同一周期元素自左而右电负性呈增大趋势,故电负性Br>Se>As,据此答题;
(4)气态SeO3分子中中心原子的价层电子对数可以判断分子构型;根据等电子体要求原子总数相同,价电子数相同来确定;
(5)利用均摊法计算两种金属原子个数之比,根据ρ=$\frac{m}{V}$计算.
解答 解:(1)硅是14号元素,根据原子核外电子排布规律可以写出电子排布式为:1s22s22p63s23p2,故答案为:1s22s22p63s23p2;
(2)硅烷的组成、结构与相应的烷烃相似,所以硅烷中硅采取sp3杂化方式;分子晶体的沸点高低取决于分子间作用力,而分子间作用力与相对分子质量的大小有关,硅烷的相对分子质量越大,分子间范德华力越强,故答案为:sp3;硅烷的相对分子质量越大,分子间范德华力越强;
(3)砷、硒、溴三种元素都是第4周期非金属元素,同一周期元素自左而右电负性呈增大趋势,故电负性As<Se<Br,故答案为:As<Se<Br;
(4)气态SeO3分子中中心原子的价层电子对数为$\frac{6+0}{2}$=3,无孤电子对,所以分子构型为平面三角形,又等电子体要求原子总数相同,价电子数相同,所以与SeO3互为等电子体的一种离子为CO32-或NO3-;故答案为:平面三角形;CO32-或NO3-;
(5)在晶胞中,Au原子位于顶点,Cu原子位于面心,该晶胞中Au原子个数=8×$\frac{1}{8}$=1,Cu原子个数=6×$\frac{1}{2}$=3,所以该合金中Au原子与Cu原子个数之比=1:3,
晶胞体积V=(a×10-10cm)3,每个晶胞中铜原子个数是3、Au原子个数是1,则ρ=$\frac{\frac{197+64×3}{{N}_{A}}}{(a×1{0}^{-10})^{3}}$g•cm-3,
故答案为:1:3;$\frac{\frac{197+64×3}{{N}_{A}}}{(a×1{0}^{-10})^{3}}$.
点评 本题主要考查了核外电子排布、第一电离能、分子空间构型、杂化方式、晶胞密度的计算,难度中等,解题时要注意对基本知识的灵活运用.
| A. | B与A只能组成BA3化合物 | |
| B. | C、D、E形成的化合物与稀硫酸可能发生氧化还原反应 | |
| C. | A、B、C形成的化合物一定不能发生水解 | |
| D. | E的氧化物一定有强的氧化性 |
| A. | 氢氧化钠 | B. | 亚硫酸钠 | C. | 氯化亚铁 | D. | 苯酚 |
| A. | 与同族硅元素类似,锗、锡、铅都可用做半导体材料 | |
| B. | 锗与盐酸可能不反应,锡、铅能与盐酸反应 | |
| C. | 锗、锡、铅的+4价氢氧化物的碱性由弱到强的顺序为:Ge(OH)4<Sn(OH)4<Pb(OH)4 | |
| D. | 锗、锡、铅的金属性依次减弱 |
| A. | Cu是氧化剂 | B. | H2SO4在反应中只表现氧化性 | ||
| C. | Cu在反应中被氧化 | D. | 1mol氧化剂在反应中得到1mol电子 |