题目内容
(12 分)钛铁矿的主要成分为FeTiO3(可表示为FeO·TiO2),含有少量MgO、CaO、SiO2等杂质。利用钛铁矿制备锂离子电池电极材料(钛酸锂Li4Ti5O12和磷酸亚铁锂LiFePO4)的工业流程如下图所示:
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已知:FeTiO3与盐酸反应的离子方程式为:FeTiO3+4H++4Cl-===Fe2++TiOCl42-+2H2O。
(1)若在实验室中煅烧固体混合物,会用到多种硅酸盐质的仪器,除玻璃棒、酒精灯、泥三角外,还有 (填仪器名称)。流程中多次涉及沉淀,则洗涤沉淀的方法是 。
(2)生产中利用滤渣A制备半导体的反应是 。
(3)滤液B中TiOCl42-转化生成TiO2的离子方程式是 。
(4)反应②中固体TiO2转化成(NH4)2Ti5O15溶液时,Ti元素的浸出率与反应温度有关,反应温度过高时,Ti元素浸出率会下降,其原因是 。
(5)写出由滤液D生成FePO4的离子方程式 。由滤液D制备LiFePO4的过程中,所需双氧水与H2C2O4的物质的量比是 。
(1)坩埚 往漏斗中加入蒸馏水至浸没沉淀,待水自然流下后,重复以上操作2~3次。
(2)2C+SiO2
Si+2CO↑ (3)TiOCl42-+H2O
TiO2↓+2H++4Cl-
(4)温度过高时,反应物氨水(或双氧水)会受热分解 (5)2Fe2+ + 2H3PO4 + H2O2 === 2FePO4↓+ 2H2O + 4H+,
1∶1
【解析】
试题解析:(1)煅烧固体混合物,用到的硅酸盐质的仪器,除玻璃棒、酒精灯、泥三角外,还有坩埚;洗涤沉淀的方法是往漏斗中加入蒸馏水至浸没沉淀,待水自然流下后,重复以上操作2~3次;(2)由于杂质中二氧化硅不溶于盐酸,所以滤渣A成分是二氧化硅,半导体材料是硅,则由A制半导体的反应是:2C+SiO2
Si+2CO↑;(3)根据流程可知,TiOCl42-在溶液中加热与水反应生成二氧化钛沉淀,反应的离子方程式为:TiOCl42-+H2O=TiO2↓+2H++4Cl-;(4)由于二氧化钛与氨水、双氧水反应生成NH4)2Ti5O15时,温度过高,双氧水和氨水都容易分解,所以反应温度过高时,Ti元素浸出率下降;(5)滤液D是氯化亚铁溶液,遇双氧水和磷酸被氧化为磷酸铁,离子方程式为:2Fe2+ + 2H3PO4 + H2O2 === 2FePO4↓+ 2H2O + 4H+;因此可得关系式:H2O2~H2C2O4,设双氧水与草酸 物质的量之比为1∶1。
考点:化学实验方案的设计与评价
(10分)硅在地壳中的含量较高,硅及其化合物的开发由来已久,在现代生活中有广泛应用.回答下列问题:
(1)陶瓷、水泥和玻璃是常用的传统的无机非金属材料,其中生产普通玻璃的主要原料有 .
(2)高纯硅是现代信息、半导体和光伏发电等产业都需要的基础材料.工业上提纯硅有多种路线,其中一种工艺流程示意图及主要反应如图:
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①工业上用石英砂和焦炭在电弧炉中高温加热到1600℃﹣1800℃除生成粗硅外,也可以生产碳化硅,则在电弧炉内可能发生的反应的化学方程式为 .
②在流化床反应的产物中,SiHCl3大约占85%,还有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等,粗硅生成SiHCl3的化学反应方程式 .
(3)有关物质的沸点数据如下表,提纯SiHCl3的主要工艺操作依次是沉降、冷凝和 ;SiHCl3极易水解,其完全水解的产物为 .
物质 | Si | SiCl4 | SiHCl3 | SiH2Cl2 | SiH3Cl | HCl | SiH4 |
沸点/℃ | 2355 | 57.6 | 31.8 | 8.2 | ﹣30.4 | ﹣84.9 | ﹣111.9 |
(4)还原炉中发生的化学反应为: .
(5)氯碱工业可为上述工艺生产提供部分原料,这些原料是 .
为除去某物质中所含的杂质,所选用的试剂或操作方法正确的是
序号 | 物质 | 杂质 | 除杂质应选用的试剂或操作方法 |
① | KNO3溶液 | KOH | 滴入稀HNO3,同时用pH试纸测定至溶液呈中性 |
② | FeSO4溶液 | CuSO4 | 加入过量铁粉并过滤 |
③ | H2 | CO2 | 依次通过盛有NaOH溶液和浓硫酸的洗气瓶 |
④ | NaNO3 | CaCO3 | 溶解、过滤、蒸发、结晶 |
A.①②③ B.②③④ C.①③④ D.①②③④