题目内容
边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d＞L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是（ ）
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边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d＞L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是（ ）
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试题答案
AD边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d＞L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是（ ）边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是
A．金属框中产生的感应电流方向相反
B．金属框所受的安培力方向相反
C．进入磁场过程通过导线横截面的电量少于穿出磁场过程 通过导线横截面的电量
D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量
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| A．金属框中产生的感应电流方向相反 |
| B．金属框所受的安培力方向相反 |
| C．进入磁场过程通过导线横截面的电量少于穿出磁场过程 通过导线横截面的电量 |
| D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量 |
边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是
A．金属框中产生的感应电流方向相反
B．金属框所受的安培力方向相反
C．进入磁场过程通过导线横截面的电量少于穿出磁场过程 通过导线横截面的电量
D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量
查看习题详情和答案>>边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是
A．金属框中产生的感应电流方向相反
B．金属框所受的安培力方向相反
C．进入磁场过程通过导线横截面的电量少于穿出磁场过程 通过导线横截面的电量
D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量
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边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是 
| A．金属框中产生的感应电流方向相反 |
| B．金属框所受的安培力方向相反 |
| C．进入磁场过程通过导线横截面的电量少于穿出磁场过程 通过导线横截面的电量 |
| D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量 |
边长为L的正方形导线框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图所示的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d(d＞L)．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，正确的是
A．金属框中产生的感应电流方向相反
B．金属框所受的安培力方向相反
C．进入磁场过程通过导线横截面的电量少于穿出磁场过程通过导线横截面的电量
D．进入磁场过程的发热量少于穿出磁场过程的发热量
边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d＞L）．已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，有（ ）边长为L的正方形金属框在水平恒力F作用下运动，穿过方向如图的有界匀强磁场区域．磁场区域的宽度为d（d>L）。已知ab边进入磁场时，线框的加速度恰好为零．则线框进入磁场的过程和从磁场另一侧穿出的过程相比较，有 
| A．产生的感应电流方向相反 |
| B．所受的安培力方向相同 |
| C．进入磁场过程的时间等于穿出磁场过程的时间 |
| D．进入磁场过程和穿出磁场过程中通过导体内某一截面的电量相等 |