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一、 单选题(每小题3分，共30分）
题号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
答案
A
C
B
C
C
D
C
D
B
D
二、 多选题（每小题4分，共24分）
题号
11
12
13
14
15
16
答案
ABD
AD
CD
BD
BD
BD
三、填空题（每空2分，共20分）
19．0 ， ×100 20. __1.5 , 0.625
21．
，
四、计算题（共26分）
22、（8分）
(1) U=2.4V ；(2) I2=
23、（9分）
微粒受力情况如图，根据平衡条件，得：
联立得
，
24、(9分)
(1) E =BLv = 1V
(2) U =IR = 0.5V
(3) P =I2R = 0.5w
如图所示,在置于匀强磁场中的U型导轨上,导体棒MN在恒定外力F的作用下以速度v＝4m/s向右匀速运动,已知磁场的磁感应强度B＝1T,方向垂直导轨平面(纸面)向外,导轨间距L＝1m,电路中的电阻R＝0.5Ω,MN的有效电阻为r=0.5Ω,其余部分电阻不计.则导体棒MN中感应电动势E= V,外力F的功率= W
如图所示，在置于匀强磁场中的U型导轨上，导体棒MN在恒定外力F的作用下以速度v=4m/s向右匀速运动，已知磁场的磁感应强度B=1T，方向垂直导轨平面（纸面）向外，导轨间距L=1m，电路中的电阻R=0.5Ω，MN的有效电阻为r=0.5Ω，其余部分电阻不计．则导体棒MN中感应电动势E=
如图所示，M′MNN′为放置在粗糙绝缘水平面上的U型金属框架，MM′和NN′相互平行且足够长，间距l=0.40m，质量M=0.20kg．质量m=0.10kg的导体棒ab垂直于MM′和NN′放在框架上，导体棒与框架的摩擦忽略不计．整个装置处于竖直向下的匀磁场中，磁感应强度B=0.50T．t=0时，垂直于导体棒ab施加一水平向右的恒力F=2.0N，导体棒ab从静止开始运动；当t=t1时，金属框架将要开始运动，此时导体棒的速度v1=6.0m/s；经过一段时间，当t=t2时，导体棒ab的速度v2=12.0m/s；金属框架的速度v3=0.5m/s．在运动过程中，导体棒ab始终与MM′和NN′垂直且接触良好．已知导体棒ab的电阻r=0.30Ω，框架MN部分的阻值R=0.10Ω，其余电阻不计．设框架与水平面间的最大静摩擦力等于滑动摩擦力，g取10m/s2．求：（1）求动摩擦因数μ；
（2）当t=t2时，求金属框架的加速度；
（3）若在0～t1这段时间内，MN上产生的热量Q=0.10J，求该过程中导体棒ab位移x的大小．
如图所示，M′MNN′为放置在粗糙绝缘水平面上的U型金属框架，MM′和NN′相互平行且足够长，间距l=0.40m，质量M=0.20kg。质量m=0.10kg的导体棒ab垂直于MM′和NN′放在框架上，导体棒与框架的摩擦忽略不计。整个装置处于竖直向下的匀磁场中，磁感应强度B=0.50T。t=0时，垂直于导体棒ab施加一水平向右的恒力F=2.0N，导体棒ab从静止开始运动；当t=t1时，金属框架将要开始运动，此时导体棒的速度v1=6.0m/s；经过一段时间，当t=t2时，导体棒ab的速度v2=12.0m/s；金属框架的速度v3=0.5m/s。在运动过程中，导体棒ab始终与MM′和NN′垂直且接触良好。已知导体棒ab的电阻r=0.30Ω，框架MN部分的阻值R=0.10Ω，其余电阻不计。设框架与水平面间的最大静摩擦力等于滑动摩擦力，g取10m/s2。求：
（1）求动摩擦因数μ；
（2）当t=t2时，求金属框架的加速度；
（3）若在0~t1这段时间内，MN上产生的热量 Q=0.10J，求该过程中导体棒ab位移x的 大小。
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如图所示，M′MNN′为放置在粗糙绝缘水平面上的U型金属框架，MM′和NN′相互平行且足够长，间距l=0.40m，质量M=0.20kg。质量m=0.10kg的导体棒ab垂直于MM′和NN′放在框架上，导体棒与框架的摩擦忽略不计。整个装置处于竖直向下的匀磁场中，磁感应强度B=0.50T。t=0时，垂直于导体棒ab施加一水平向右的恒力F=2.0N，导体棒ab从静止开始运动；当t=t1时，金属框架将要开始运动，此时导体棒的速度v1=6.0m/s；经过一段时间，当t=t2时，导体棒ab的速度v2=12.0m/s；金属框架的速度v3=0.5m/s。在运动过程中，导体棒ab始终与MM′和NN′垂直且接触良好。已知导体棒ab的电阻r=0.30Ω，框架MN部分的阻值R=0.10Ω，其余电阻不计。设框架与水平面间的最大静摩擦力等于滑动摩擦力，g取10m/s2。求：
（1）求动摩擦因数μ；
（2）当t=t2时，求金属框架的加速度；
（3）若在0~t1这段时间内，MN上产生的热量 Q=0.10J，求该过程中导体棒ab位移x的 大小。