摘要：(1)在图中画出AB边下落时框中电流的方向. (2)如果AB边匀速下落,试用下列数据求出下落的速度:AB边的质量m=0.2克,长度l=10厘米,AB边的电阻R=0.2欧姆(框的其他三边的电阻可忽略),磁场强度H=1000奥斯特,重力加速度g=1000厘米/秒2,空气阻力不计. 答案: 1962年答案
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（2010?苏州二模）如图所示，间距为L的平行金属板AB、CD之间有相互垂直的匀强电场和匀强磁场（图中未画出），电场强度为E1，磁感应强度为B1．带异种电荷的两离子a、b，负离子a质量为m、带电量为q，其比荷为正离子b比荷的9倍．它们在分别距离AB、CD板L/4处，以平行于金属板方向的速度沿直线穿过ABCD区域进入电场强度为E2的匀强电场区，E2与E1平行．MNP为沿AB、CD中心线方向的光滑绝缘板，离子与板碰撞后反弹无能量损失（即反弹前后水平分速度保持不变，竖直分速度大小不变、方向相反），且电量保持不变，到达板的N点后反弹进入磁感应强度为B2的匀强磁场区，不计两离子间的相互作用力及重力．（1）在图中画出AB、CD间匀强磁场B1的方向，并写出离子速度大小的表达式；
（2）MN的长度要满足什么条件，两离子能恰好到达N点？
（3）若a离子的比荷q/m=108C/kg，El=103V/m，Bl=0.1T，E2=3×103V，L=2×10-3m，且板NP足够长．则两离子进入匀强磁场B2后，沿板NP方向上平均速度之比为多少？
如图示的电路中，AB是一段粗细均匀的电阻丝，R是保护电阻，电阻值为2Ω，电源的电动势为6V，安培表内阻为零，其示数为I，滑动片P与电阻丝有良好接触，且AP长度为L，其它连接导线电阻不计。闭合电键，调节P的位置，记录L和与之相对应的I数据，并同已计算出的1/I值列表如下：
(1) （2分）在图中画出1/I～L图象；
(2) （4分）从图中求出截距b＝ 和斜率K＝ ；
(3)（6分）根据截距和斜率，求出电源内电阻r＝ 和该电阻丝单位长度的电阻R0＝ 。 查看习题详情和答案>>
| 实验次数 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
| L（m） | 0.10 | 0.20 | 0.30 | 0.40 | 0.50 |
| I(A) | 1.78 | 1.39 | 1.09 | 0.96 | 0.83 |
| 1/I(A-1) | 0.56 | 0.72 | 0.92 | 1.04 | 1.20 |
(1) （2分）在图中画出1/I～L图象；
(2) （4分）从图中求出截距b＝ 和斜率K＝ ；
(3)（6分）根据截距和斜率，求出电源内电阻r＝ 和该电阻丝单位长度的电阻R0＝ 。 查看习题详情和答案>>
如图所示，间距为L的平行金属板AB、CD之间有相互垂直的匀强电场和匀强磁场（图中未画出），电场强度为E1，磁感应强度为B1．带异种电荷的两离子a、b，负离子a质量为m、带电量为q，其比荷为正离子b比荷的9倍．它们在分别距离AB、CD板L/4处，以平行于金属板方向的速度沿直线穿过ABCD区域进入电场强度为E2的匀强电场区，E2与E1平行．MNP为沿AB、CD中心线方向的光滑绝缘板，离子与板碰撞后反弹无能量损失（即反弹前后水平分速度保持不变，竖直分速度大小不变、方向相反），且电量保持不变，到达板的N点后反弹进入磁感应强度为B2的匀强磁场区，不计两离子间的相互作用力及重力．
（1）在图中画出AB、CD间匀强磁场B1的方向，并写出离子速度大小的表达式；
（2）MN的长度要满足什么条件，两离子能恰好到达N点？
（3）若a离子的比荷q/m=108C/kg，El=103V/m，Bl=0.1T，E2=3×103V，L=2×10-3m，且板NP足够长．则两离子进入匀强磁场B2后，沿板NP方向上平均速度之比为多少？
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（1）在图中画出AB、CD间匀强磁场B1的方向，并写出离子速度大小的表达式；
（2）MN的长度要满足什么条件，两离子能恰好到达N点？
（3）若a离子的比荷q/m=108C/kg，El=103V/m，Bl=0.1T，E2=3×103V，L=2×10-3m，且板NP足够长．则两离子进入匀强磁场B2后，沿板NP方向上平均速度之比为多少？
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为37°，取cos37°＝0.8，sin37°＝0.6.求：