摘要：下图能说明∠1＞∠2的是( ). A B C D
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如图所示，小明欲从A地去B地，有三条路可走：①A→B；②A→D→B；③A→C→B。
（1）在没有其它因素的情况下，我们可以肯定小明是走①，理由是（ )。
（2）小明绝对不会走③，因为③路程最长，即AC+BC＞AD+DB，你能说明其原因吗？
（1）在没有其它因素的情况下，我们可以肯定小明是走①，理由是（ )。
（2）小明绝对不会走③，因为③路程最长，即AC+BC＞AD+DB，你能说明其原因吗？
砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题
（1）下列说法正确的是 ▲ （选填序号）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．第一电离能：As＞Ga
C．电负性:As＞Ga D．砷和镓都属于p区元素
E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
（2）砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到， 该反应在700℃进行，反应的方程式为： ▲ 。
AsH3空间形状为： ▲ (CH3)3Ga中镓原子杂化方式为： ▲ 。
（3）Ga的核外电子排布式为： ▲ 。
（4）AsH3沸点比NH3低，其原因是： ▲ 。 查看习题详情和答案>>
（1）下列说法正确的是 ▲ （选填序号）。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．第一电离能：As＞Ga
C．电负性:As＞Ga D．砷和镓都属于p区元素
E．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
（2）砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到， 该反应在700℃进行，反应的方程式为： ▲ 。
AsH3空间形状为： ▲ (CH3)3Ga中镓原子杂化方式为： ▲ 。
（3）Ga的核外电子排布式为： ▲ 。
（4）AsH3沸点比NH3低，其原因是： ▲ 。 查看习题详情和答案>>
我们知道：过平行四边形纸片的一个顶点，作一条垂线段，沿这条垂线段剪下这个三角形纸片，将它平移到右边的位置，平移距离等于平行四边形的底边长a，可得到一个矩形（如图1）。（1）在图2的纸片中，AD＞AB，按上述方法，你能使所得的四边形是菱形吗？如果能，画出这条线段及平移后的三角形（用阴影部分表示）；如果不能，请说明理由。（2）什么样的平行四边形纸片按上述方法能得到正方形？画出这个平行四边形，并说明理由。
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（k＞0）与直线y=k′x交于A，B两点，点A在第一象限，试解答下列问题。
（1）若点A的坐标为（4，2），则点B的坐标为______；若点A的横坐标为m，则点B的坐标可表示为_____；
（2）如图2，过原点O作另一条直线l，交双曲线
（k＞0）于P，Q两点，点P在第一象限。
①说明四边形APBQ一定是平行四边形；
②设点A，P的横坐标分别为m，n，四边形APBQ可能是矩形吗？可能是正方形吗？若可能，直接写出m，n应满足的条件；若不可能，请说明理由。
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（2）如图2，过原点O作另一条直线l，交双曲线
（k＞0）于P，Q两点，点P在第一象限。①说明四边形APBQ一定是平行四边形；
②设点A，P的横坐标分别为m，n，四边形APBQ可能是矩形吗？可能是正方形吗？若可能，直接写出m，n应满足的条件；若不可能，请说明理由。