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①为了保护被测电阻，实验中电阻两端的电压应控制在 V以下，电压表应选
择 ；通过电阻的电流应控制在 A以下，电流表应选择 。
| 器材 | 规格 |
| 电流表A1 | 量程0～50 mA，内阻约20 Ω |
| 电流表A2 | 量程0～3 mA，内阻约0.001 Ω |
| 电压表V1 | 量程0～5 V，内阻约10 kΩ |
| 电压表V2 | 量程0～10 V，内阻约20 kΩ |
| 滑动变阻器R | 阻值范围O～50 Ω |
| 直流电源E | 电动势10 V |
| 开关S、导线 |
②利用你选中器材的符号在虚线框中画出实验电路图。查看习题详情和答案>>
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。
（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。
提供的器材如下：
A.磁敏电阻，无磁场时阻值
B.滑动变阻器R，全电阻约
C.电流表
，量程2.5mA，内阻约
D.电压表
，量程3V，内阻约3k
E.直流电源E，电动势3V，内阻不计
F.开关S，导线若干
（2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
U（V） | 0.00 | 0.45 | 0.91 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
I（mA） | 0.00 | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB= 
，结合图1可知待测磁场的磁感
应强度B＝ T。
（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？
2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。
（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。
提供的器材如下：
A.磁敏电阻，无磁场时阻值
B.滑动变阻器R，全电阻约
C.电流
表，量程2.5mA,内阻约
D.电压
表，量程3V，内阻约3k
E.直流电源E，电动势3V，内阻不计
F.开关S，导线若干
（2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：
| | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| U（V） | 0.00 | 0.45 | 0.91 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
| I（mA） | 0.00 | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B＝ T。
（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？
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若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。
（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。
提供的器材如下：
A.磁敏电阻，无磁场时阻值
B.滑动变阻器R，全电阻约
C.电流
表，量程2.5mA,内阻约
D.电压
表，量程3V，内阻约3k
E.直流电源E，电动势3V，内阻不计
F.开关S，导线若干
（2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：
| | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| U（V） | 0.00 | 0.45 | 0.91 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
| I（mA） | 0.00 | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B＝ T。
（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？
2007年诺贝尔物理学奖授予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家。材料的电阻随磁场的增加而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度。
若图1为某磁敏电阻在室温下的电阻-磁感应强度特性曲线，其中RB、RO分别表示有、无磁敏电阻的阻值。为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB。请按要求完成下列实验。
（1）设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图2的虚线框内画出实验电路原理图（磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其它部分的影响）。要求误差较小。
提供的器材如下：
A.磁敏电阻，无磁场时阻值
B.滑动变阻器R，全电阻约
C.电流
表，量程2.5mA,内阻约
D.电压
表，量程3V，内阻约3k
E.直流电源E，电动势3V，内阻不计
F.开关S，导线若干
（2）正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | |
U（V） | 0.00 | 0.45 | 0.91 | 1.50 | 1.79 | 2.71 |
I（mA） | 0.00 | 0.30 | 0.60 | 1.00 | 1.20 | 1.80 |
根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB= 
，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B＝ T。
（3）试结合图1简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻阻值的变化规律有何不同？
（4）某同学查阅相关资料时看到了图3所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻-磁感应强度特性曲线（关于纵轴对称），由图线可以得到什么结论？
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