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方向如图所示的匀强电场(场强为E)和匀强磁场(磁感应强度为B)共存的场区,一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区,则 ( )
A.若v0>E/B,电子沿轨迹Ⅰ运动,出场区时速度v>v0
B.若v0>E/B,电子沿轨迹Ⅱ运动,出场区时速度v<v0
C.若v0<E/B,电子沿轨迹Ⅰ运动,出场区时速度v>v0
D.若v0<E/B,电子沿轨迹Ⅱ运动,出场区时速度v<v0
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方向如图所示的匀强电场(场强为E)和匀强磁场(磁感应强度为B)共存的场区,一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区,则 ( )
A.若v0>E/B,电子沿轨迹Ⅰ运动,出场区时速度v>v0
B.若v0>E/B,电子沿轨迹Ⅱ运动,出场区时速度v<v0
C.若v0<E/B,电子沿轨迹Ⅰ运动,出场区时速度v>v0
D.若v0<E/B,电子沿轨迹Ⅱ运动,出场区时速度v<v0
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A.若v0>E/B,电子沿轨迹Ⅰ运动,出场区时速度v>v0
B.若v0>E/B,电子沿轨迹Ⅱ运动,出场区时速度v<v0
C.若v0<E/B,电子沿轨迹Ⅰ运动,出场区时速度v>v0
D.若v0<E/B,电子沿轨迹Ⅱ运动,出场区时速度v<v0
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方向如图所示的匀强电场(场强为E)和匀强磁场(磁感应强度为B)共存的场区,一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v0射入场区,则 ( )
A.若v0>E/B,电子沿轨迹Ⅰ运动,出场区时速度v>v0 |
B.若v0>E/B,电子沿轨迹Ⅱ运动,出场区时速度v<v0 |
C.若v0<E/B,电子沿轨迹Ⅰ运动,出场区时速度v>v0 |
D.若v0<E/B,电子沿轨迹Ⅱ运动,出场区时速度v<v0 |