摘要:6.40I(mA)

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影响物质材料电阻率的因素很多,一般金属材料的电阻率随温度的升高而增大,半导体材料的电阻率则随温度的升高而减小。

(1)如图甲是由某金属材料制成的电阻R随温度t的变化图像,若用该电阻与电池(电动势E=1.5V,内阻不计)、电流表(量程为5 mA、内阻Rg =100Ω)、电阻箱R′串联起来,连接成如图乙所示的电路,用该电阻做测温探头,把电流表的电流刻度改为相应的温度刻度,就得到了一个简易的“金属电阻温度计”。

①电流刻度较大处对应的温度刻度       (填“较大”或“较小”);

②若电阻箱阻值R′=50Ω,在丙图中标出空格处对应的温度数值为       

(2)要描绘某电学元件(最大电流不超过6mA,最大电压不超过7V)的伏安特性曲线,设计电路如图。图中定值电阻R为1kΩ,用于限流;电流表A量程为10mA,内阻约为5Ω;电压表(未画出)量程为10V,内阻约为10kΩ;电源电动势E为12V,内阻不计。

①实验时有两个滑动变阻器可供选择:

a. 阻值0~200Ω,额定电流0. 3A  b. 阻值0~20Ω,额定电流0. 5A

本实验应选用的滑动变阻器是   (填“a”或“b”)。

② 正确接线后,测得数据如下表:

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

U(V)

0.00

3.00

6.00

6.16

6.28

6.32

6.36

6.38

6.39

6.40

I(mA)

0.00

0.00

0.00

0.06

0.50

1.00

2.00

3.00

4.00

5.00

a.根据以上数据,电压表是并联在M   之间的(填“O”或“P”);

b.根据以下数据,画出该元件的伏安特性曲线;

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