摘要：21．如图甲所示.bacd为导体做成的框架.其平面与水平面成角.质量为m的导体棒PQ
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如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止．试画出0～t2时间内PQ受到的安培力F随时间变化的图象（取沿斜面向上为正方向）．
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如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止，则0～t2时间内，PQ受到的安培力F和摩擦力f随时间变化的图像可能正确的是(取平行斜面向上为正方向)
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如图甲所示，bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化磁场中，磁感应强度B的变化情况如图乙所示，PQ能够始终保持静止．试画出0～t2时间内PQ受到的安培力F随时间变化的图象（取沿斜面向上为正方向）．
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f随时间变化的图像一定错误的是(取平行斜面向上为正方向)
