下图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。

（1）请写出上图中d单质对应元素原子的电子排布式       。

（2）单质a、f对应的元素以原子个数比1 ：1形成的分子（相同条件下对H₂的相对密度为13）中含    个键和    个键。

（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为                  ；将X溶于水后的溶液滴入到AgNO₃溶液中至过量，得到络离子的化学式为              ，其中X与Ag^＋之间以           键结合。

（4）下图是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构：请简要说明该物质易溶于水的两个数原因                  。

下图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。

（1）请写出上图中d单质对应元素原子的电子排布式       。

（2）单质a、f对应的元素以原子个数比1 ：1形成的分子（相同条件下对H₂的相对密度为13）中含    个键和    个键。

（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为                 ；将X溶于水后的溶液滴入到AgNO₃溶液中至过量，得到络离子的化学式为             ，其中X与Ag^＋之间以           键结合。

（4）下图是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构：请简要说明该物质易溶于水的两个数原因                 。

下图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。

（1）请写出上图中d单质对应元素原子的电子排布式      。
（2）单质a、f对应的元素以原子个数比1 ：1形成的分子（相同条件下对H₂的相对密度为13）中含   个键和   个键。
（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为                 ；将X溶于水后的溶液滴入到AgNO₃溶液中至过量，得到络离子的化学式为             ，其中X与Ag^＋之间以          键结合。
（4）下图是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构：请简要说明该物质易溶于水的两个数原因                 。

下图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。

（1）请写出上图中d单质对应元素原子的电子排布式       。

（2）单质a、f对应的元素以原子个数比1 ：1形成的分子（相同条件下对H₂的相对密度为13）中含    个键和    个键。

（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为                  ；将X溶于水后的溶液滴入到AgNO₃溶液中至过量，得到络离子的化学式为              ，其中X与Ag^＋之间以           键结合。

（4）下图是上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构：请简要说明该物质易溶于水的两个数原因                  。

下图是Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质的熔点高低的顺序，其中c、d均是热和电的良导体。

（1）请写出上图中d单质对应元素原子的电子排布式_________________________。
（2）单质a、b、f对应的元素以原子个数比1∶1∶1形成的分子中含__________个σ键，__________个π键。
（3）a与b的元素形成的10电子中性分子X的空间构型为__________；将X溶于水后的溶液滴入到含d元素高价离子的溶液中至过量，生成的含d元素离子的化学式为____________，其中X与d的高价离子之间以____________键结合。
（4）上述六种元素中的一种元素形成的含氧酸的结构为，请简要说明该物质易溶于水的原因________________________________。