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工业上用“三氯氢硅还原法”制备纯硅的工业流程如图：
（1）石英砂的主要成分是 （填化学式），在制备粗硅时焦炭的作用是 。
（2）制备三氯氢硅的反应：
Si（s）+3HCl（g）
SiHCl3（g）+H2（g） 
伴随的副反应为：
Si（s）+4HCl（g） SiCl4（g）+2H2（g） 
已知SiHCl3和SiCl4常温下均为液体，工业上分离SiHCl3和SiCl4的操作方法
为 ；
写出SiHCl3（g）和HCl反应生成SiCl4（g）和H2的热化学方程式 。
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是 。
（4）实验室用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下图（热源及夹持装置略去）.已知SiHCl3能与H2O强烈反应，在空气中易自燃。
①装置B中的试剂是 （填名称），装置C中的烧瓶需要加热，其目的是 。
②实验中先让稀硫酸与锌粒反应一段时间后，再加热C、D装置的理由是 ，装置D中发生反应的化学方程式为 。
查看习题详情和答案>>工业上用“三氯氢硅还原法”制备纯硅的工业流程如图：
（1）石英砂的主要成分是 （填化学式），在制备粗硅时焦炭的作用是 。
（2）制备三氯氢硅的反应：
Si（s）+3HCl（g）SiHCl3（g）+H2（g）
伴随的副反应为：
Si（s）+4HCl（g） SiCl4（g）+2H2（g）
已知SiHCl3和SiCl4常温下均为液体，工业上分离SiHCl3和SiCl4的操作方法
为 ；
写出SiHCl3（g）和HCl反应生成SiCl4（g）和H2的热化学方程式 。
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是 。
（4）实验室用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下图（热源及夹持装置略去）.已知SiHCl3能与H2O强烈反应，在空气中易自燃。
①装置B中的试剂是 （填名称），装置C中的烧瓶需要加热，其目的是 。
②实验中先让稀硫酸与锌粒反应一段时间后，再加热C、D装置的理由是 ，装置D中发生反应的化学方程式为 。
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工业上用“三氯氢硅还原法”制备纯硅的工业流程如图：
（1）石英砂的主要成分是 （填化学式），在制备粗硅时焦炭的作用是 。
（2）制备三氯氢硅的反应：
Si（s）+3HCl（g）
SiHCl3（g）+H2（g） 
伴随的副反应为：
Si（s）+4HCl（g） SiCl4（g）+2H2（g） 
已知SiHCl3和SiCl4常温下均为液体，工业上分离SiHCl3和SiCl4的操作方法
为 ；
写出SiHCl3（g）和HCl反应生成SiCl4（g）和H2的热化学方程式 。
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是 。
（4）实验室用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下图（热源及夹持装置略去）.已知SiHCl3能与H2O强烈反应，在空气中易自燃。
①装置B中的试剂是 （填名称），装置C中的烧瓶需要加热，其目的是 。
②实验中先让稀硫酸与锌粒反应一段时间后，再加热C、D装置的理由是 ，装置D中发生反应的化学方程式为 。
工业上用某矿渣（含有Cu2O、Al2O3、Fe2O3、SiO2）提取铜的操作流程如下（金属单质E可由滤液C制取）：
已知：Cu2O + 2H+ = Cu + Cu2+ + H2O。
（1）滤液A中铁元素的可能存在形式为_______（填离子符号），与之相关的离子方程式为_____________，若滤液A中存在Fe3+，检验该离子的试剂为________（填试剂名称）。
（2）写出E和F反应生成铜的化学方程式为_____________________________。
（3）利用电解法进行粗铜精炼时，下列叙述正确的是_________（填代号）。
a．若用硫酸铜溶液作电解液，SO2- 4向阴极移动
b．粗铜接电源正极，发生还原反应
c．精铜作阴极，电解后电解液中Cu2+浓度减小
d．当粗铜消耗6.4 g时，转移0.2NA个电子
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工业上用“三氯氢硅还原法”制备纯硅的工业流程如图：
（1）石英砂的主要成分是 （填化学式），在制备粗硅时焦炭的作用是 。
（2）制备三氯氢硅的反应：
Si（s）+3HCl（g）
SiHCl3（g）+H2（g） 
伴随的副反应为：
Si（s）+4HCl（g） SiCl4（g）+2H2（g） 
已知SiHCl3和SiCl4常温下均为液体，工业上分离SiHCl3和SiCl4的操作方法
为 ；
写出SiHCl3（g）和HCl反应生成SiCl4（g）和H2的热化学方程式 。
（3）该生产工艺中可以循环使用的物质是 。
（4）实验室用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下图（热源及夹持装置略去）.已知SiHCl3能与H2O强烈反应，在空气中易自燃。
①装置B中的试剂是 （填名称），装置C中的烧瓶需要加热，其目的是 。
②实验中先让稀硫酸与锌粒反应一段时间后，再加热C、D装置的理由是 ，装置D中发生反应的化学方程式为 。
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