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(9分)硅是一种重要的非金属单质,硅及其化合物的用途非常广泛。根据所学知识回答硅及其化合物的相关问题。
(1)基态硅原子的核外电子排布式为 。
(2)晶体硅的微观结构与金刚石相似,晶体硅中Si-Si键之间的夹角大小约为______。
(3)下面关于SiO2晶体网状结构的叙述正确的是
A..最小的环上,有3个Si原子和3个O原子
B.最小的环上,有6个Si原子和6个O原子
C.存在四面体结构单元,O处于中心,Si处于4个顶角
(4)下表列有三种含硅物质(晶体)的熔点:
|
物质 |
SiO2 |
SiCl4 |
SiF4 |
|
熔点/℃ |
1610 |
-69 |
-90 |
简要解释熔点差异的原因:
①SiO2和SiCl4:_________________________________________;
② SiCl4和SiF4:_________________________________________
(5)“神七”字航员所穿出仓航天服是由我国自行研制的新型“连续纤维增韧”航空材料做成,其主要成分是由一种由硅及其同主族相邻短周期元素形成的化合物和碳纤维等复合而成的,它是一种新型无机非金属材料。该化合物的化学式为:________。已知该化合物的硬度仅次于金刚石,熔点比SiO2高,该化合物晶体属于________晶体[填“分子”、“原子”或“离子”。
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(9分)硅是一种重要的非金属单质,硅及其化合物的用途非常广泛。根据所学知识回答硅及其化合物的相关问题。
(1)基态硅原子的核外电子排布式为 。
(2)晶体硅的微观结构与金刚石相似,晶体硅中Si-Si键之间的夹角大小约为______。
(3)下面关于SiO2晶体网状结构的叙述正确的是
A..最小的环上,有3个Si原子和3个O原子
B.最小的环上,有6个Si原子和6个O原子
C.存在四面体结构单元,O处于中心,Si处于4个顶角
(4)下表列有三种含硅物质(晶体)的熔点:
| 物质 | SiO2 | SiCl4 | SiF4 |
| 熔点/℃ | 1610 | -69 | -90 |
简要解释熔点差异的原因:
①SiO2和SiCl4:_________________________________________;
② SiCl4和SiF4:_________________________________________
(5)“神七”字航员所穿出仓航天服是由我国自行研制的新型“连续纤维增韧”航空材料做成,其主要成分是由一种由硅及其同主族相邻短周期元素形成的化合物和碳纤维等复合而成的,它是一种新型无机非金属材料。该化合物的化学式为:________。已知该化合物的硬度仅次于金刚石,熔点比SiO2高,该化合物晶体属于________晶体[填“分子”、“原子”或“离子”。
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(9分)硅是一种重要的非金属
单质,硅及其化合物的用途非常广泛。根据所学知识回答硅及其化合物的相关问题。
(1)基态硅原子的核外电子排布式为 。
(2)晶体硅的微观结构与金刚石相似,晶体硅中Si-Si键之间的夹角大小约为______。
(3)下面关于SiO2晶体网状结构的叙述正确的是
A..最小的环上,有3个Si原子和3个O原子
B.最小的环上,有6个Si原子和6个O原子
C.存在四面体结构单元,O处于中心,Si处于4个顶角
(4)下表列有三种含硅物质(晶体)的熔点:
| 物质 | SiO2 | SiCl4 | SiF4 |
| 熔点/℃ | 1610 | -69 | -90 |
①SiO2和SiCl4:_________________________________________;
② SiCl4和SiF4:_________________________________________
(5)“神七”字
(1)基态硅原子的核外电子排布式为 。
(2)晶体硅的微观结构与金刚石相似,晶体硅中Si-Si键之间的夹角大小约为______。
(3)下面关于SiO2晶体网状结构的叙述正确的是
A..最小的环上,有3个Si原子和3个O原子
B.最小的环上,有6个Si原子和6个O原子
C.存在四面体结构单元,O处于中心,Si处于4个顶角
(4)下表列有三种含硅物质(晶体)的熔点:
| 物质 | SiO2 | SiCl4 | SiF4 |
| 熔点/℃ | 1610 | -69 | -90 |
①SiO2和SiCl4:_________________________________________;
② SiCl4和SiF4:_________________________________________
(5)“神七”字
①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅
②粗硅与干燥HCl气体反应制得SiHCl3(常温下为液态,易挥发)
③SiHCl3与过量H2在1000~1100℃反应制得纯硅.
已知:
Ⅰ.SiHCl3水解会生成两种气态产物,请写出其水解的化学方程式:
Ⅱ.SiHCl3 在空气中自燃.请回答下列问题:
(1)第①步制备粗硅的化学反应方程式为
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(2)用SiHCl3与过量H2反应制备纯硅的装置如下(热源及夹持装置略去)
①装置B中的试剂是
②反应一段时间后,装置D中观察到的现象是
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③为保证制备纯硅实验的成功,操作的关键是检查实验装置的气密性,控制好反应温度以及
④设计鉴定产品硅中是否含少量Fe单质的方法: