摘要:28.制造SiC的化学方程式是:SiO2+3C SiC+2CO↑.按下列要求回答有关问题: (1)指出氧化剂 .还原剂 (2)标出电子转移的方向和数目(要求重新抄写方程式并标出电子转移) (3)制备20gSiC时.电子转移 mol.消耗SiO2 g
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(三选一)【选修3:物质结构与性质】
硅与金刚砂(SiC)是两种重要的工业产品,它们都可由二氧化硅与碳反应制得。
硅与金刚砂(SiC)是两种重要的工业产品,它们都可由二氧化硅与碳反应制得。
(1)由SiO2生成SiC的化学方程式是_________________。 氮化硅(Si3N4)也是一种高硬度高沸点的物质,其制备方法是在H2的保护下,使SiCl4与N2反应沉积在石墨表面,形成一层致密的氮化硅层,写出该反应的化学方程式_______________________。
(2)基态Si原子的价电子排布式为________;Si与C相比,电负性较大的是_________(填元素符号)。
(3)从原子轨道重叠的角度,X分子中含有的化学键是____________,X可与氧气反应生成Y,Y分子的中心原子杂化轨道类型是__________,键角是_____________。SiO2与HF溶液反应可以生成一种气态物质,该物质的立体构型为__________________。
(4)SiC的一种晶体与晶体硅的结构相似,其中C原子和Si原子的位置是交替的,在SiC中最小的环上有________个原子,SiC与晶体硅相比,_________熔点较高,原因是______________________________ 。
(5)生铁中存在着碳铁化合物。若铁晶体的晶胞结构如图,铁的密度是dg/cm3,则铁原子的半径是_________cm。(只要求列算式,不必计算出数值,阿伏伽德罗常数为NA)。
(2)基态Si原子的价电子排布式为________;Si与C相比,电负性较大的是_________(填元素符号)。
(3)从原子轨道重叠的角度,X分子中含有的化学键是____________,X可与氧气反应生成Y,Y分子的中心原子杂化轨道类型是__________,键角是_____________。SiO2与HF溶液反应可以生成一种气态物质,该物质的立体构型为__________________。
(4)SiC的一种晶体与晶体硅的结构相似,其中C原子和Si原子的位置是交替的,在SiC中最小的环上有________个原子,SiC与晶体硅相比,_________熔点较高,原因是______________________________ 。
(5)生铁中存在着碳铁化合物。若铁晶体的晶胞结构如图,铁的密度是dg/cm3,则铁原子的半径是_________cm。(只要求列算式,不必计算出数值,阿伏伽德罗常数为NA)。
工业制造金刚砂(SiC)的化学方程式如下:SiO2 + 3C ====== SiC + 2CO ↑。在这个氧化还原反应中,氧化剂和还原剂的物质的量之比是
A.1:2 B.2:1 C.1:1 D.3:5
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