摘要：如图所示.宽为d的有界匀强磁场的边界为PP′.QQ′.一个质量为m.电荷量为q的微观粒子沿图示方向以速度v0垂直射入磁场.磁感应强度为B.要使粒子不能从边界QQ′射出.粒子的入射速度v0的最大值可能是下面给出的 ①Bqd/m ②2qBd/m ③2qBd/3m ④qBd/3m A.①② B.②③ C.③④ D.②④
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如图所示，宽为d的有界匀强磁场的边界为PP′、QQ′，一个质量为m、电荷量为q的微观粒子沿图示方向以速度V0垂直射入磁场，磁感应强度为B，要使粒子不能从边界QQ′射出，粒子的入射速度V0的最大值可能是下面给出的（ ） ①Bqd/m ②2qBd/m ③2qBd/3m ④qBd/3m．
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如图所示，宽为d的有界匀强磁场竖直向下穿过光滑的水平桌面，一质量为m的矩形导体框平放在桌面上，矩形导体框的长边（长为L）平行磁场边界，短边长度小于d 。 现给导体框一个初速度v0 (v0垂直磁场边界)，导体框全部位于磁场中时的速度为v，导体框全部出磁场后的速度为 v1（v1≠0）；导体框进入磁场过程中产生的焦耳热为Q1 ，导体框离开磁场过程中产生的焦耳热为 Q2 。下列说法正确的是 （ ）
A．导体框离开磁场过程中，感应电流的方向为逆时针方向
B．v = ( v0+ v1 )
C. Q2 = 2 Q1
D. Q1 + Q2= m v02
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如图所示，宽为d的有界匀强磁场竖直向下穿过光滑的水平桌面，一质量为m的矩形导体框平放在桌面上，矩形导体框的长边（长为L）平行磁场边界，短边长度小于d 。 现给导体框一个初速度v0 (v0垂直磁场边界)，导体框全部位于磁场中时的速度为v，导体框全部出磁场后的速度为 v1（v1≠0）；导体框进入磁场过程中产生的焦耳热为Q1 ，导体框离开磁场过程中产生的焦耳热为 Q2 。下列说法正确的是 （ ）
A．导体框离开磁场过程中，感应电流的方向为逆时针方向
B．v = ( v0+ v1 )
C. Q2 = 2 Q1
D. Q1 + Q2= m v02
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