摘要： A为N.B为O.C为S
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A、B、C均为短周期主族元素，它们在周期表中的位置如图所示。已知B、C两元素的原子序数之和为A元素的原子序数的4倍，则A、B、C依次为
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A．C、Al、P
B．N、Si、S
C．O、P、Cl
D．F、S、Ar
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B．N、Si、S
C．O、P、Cl
D．F、S、Ar
（12分）⑴第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为 ▲ 。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为 ▲ 。在四大晶体类型中，GaN属于 ▲ 晶体。
⑵K^S*5U.C#O%铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有 ▲ 的原子或离子
⑶CuCl2溶液与乙二胺(H2N-CH2-CH2-NH2)可形成配离子：请回答下列问题：
① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是 ▲ 。
②SO2分子的空间构型为 ▲ 。与SnCl4互为等电子体的一种离子的化学式为 ▲
③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为 ▲ 。乙二胺和三甲胺[N(CH3)3]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是 ▲ 。
④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有 ▲ 。
a．配位键 b．极性键 c．离子键 d．非极性键
⑤CuCl的晶胞结构如上图所示，其中Cl原子的配位数为 ▲ 。
（14分）下表为元素周期表的一部分，请参照元素①－⑧在表中的位置，用化学用语回答下列问题：K^S*5U.C#O
| 族 周期 | IA | | 0 | |||||
| 1 | ① | ⅡA | ⅢA | ⅣA | ⅤA | ⅥA | ⅦA | |
| 2 | | | | ② | ③ | ④ | | |
| 3 | ⑤ | | ⑥ | ⑦ | | | ⑧ | |
（1）④、⑤、⑥的原子半径由大到小的顺序为_________________________。
（2）②、③、⑦的最高价含氧酸的酸性由强到弱的顺序是_________________________。
（3）①、④、⑤、⑧中的某些元素可形成既含离子键又含极性共价键的化合物，写出其中一种化合物的电子式：____________________
（4）由表中两种元素的原子按1：1组成的常见液态化合物的稀液易被催化分解，可使用的催化剂为（填序号）_________________。
a．MnO2 b．FeCl3 c．Na2SO3 d．KMnO4
（5）由表中元素形成的常见物质X、Y、Z、M、N可发生以下反应：
X溶液与Y溶液反应的离子方程式为_____________________，
N→⑥的单质的化学方程式为________________。K^S*5U.C#O
常温下，为使0．1 mol/L M 溶液中由M电离的阴、阳离子浓度相等，应向溶液中加入一定量的Y溶液至_________________。 查看习题详情和答案>>
下表为元素周期表的一部分，请参照元素①－⑨在表中的位置，用化学用语回答下列问题：
| 族 周期 | IA | | 0 | |||||
| 1 | ① | ⅡA | ⅢA | ⅣA | ⅤA | ⅥA | ⅦA | |
| 2 | | | | ② | ③ | ④ | | |
| 3 | ⑤ | | ⑥ | | ⑨ | ⑦ | ⑧ | |
Ⅰ、（1）元素⑦中质子数和中子数相等的原子符号是________________。
（2）④、⑤两种元素原子按1：1组成的常见化合物的化学式________________。
（3）③、⑧和⑨的最高价氧化物对应水化物的酸性由强到弱的顺序是________________。
（4）用电子式表示①和⑤形成化合物的过程_________________________。
Ⅱ、由表中元素形成的物质A、B、C可发生以下反应(副产物已略去)，试回答：
（1）若X是强氧化性单质，则A不可能是______________
a、S b、N2 c、Na d、Mg e、Al
（2）若X是一种常见过渡金属单质，向C的水溶液中滴加硝酸银溶液，产生不溶于稀硝酸的白色沉淀，检验此C溶液中金属离子的方法是____________________________________
__________________________；又知在酸性溶液中该金属离子能被双氧水氧化，写出该反应的离子方程式：___________________________________________。 查看习题详情和答案>>