(2011年黄冈质检)如图所示，用粗细均匀的电阻丝折成平面梯形框架，ab、cd边均与ad边成60°角，ab＝bc＝cd＝L，长度为L的电阻丝电阻为r，框架与一电动势为E，内阻为r的电源相连接，垂直于框架平面有磁感应强度为B的匀强磁场，则框架受到的安培力的合力大小为(　　)

A．0                B.

C.                D.

(2011年湖北黄冈质检)如图所示，用粗细均匀的电阻丝折成平面梯形框架，ab、cd边均与ad边成60°角，ab＝bc＝cd＝L，长度为L的电阻丝电阻为r，框架与一电动势为E，内阻为r的电源相连接，垂直于框架平面有磁感应强度为B的匀强磁场，则框架受到的安培力的合力大小为(　　)  

A．0　　　　　　　　                            B.

C.                                              D.

A.待测电压表V，量程1 V，内阻R_V约900 Ω

B.滑动变阻器R：最大阻值1 000 Ω,额定电流0.2 A

C.滑动变阻器R：最大阻值10 Ω，额定电流1 A

D.电阻箱R₀：最大阻值999.9 Ω，阻值最小改变量0.1 Ω

E.电阻箱R₀：最大阻值99.9 Ω,阻值最小改变量0.1 Ω

F.电池组：电动势约3 V，内阻约1 Ω

G.开关及导线若干

（1）某同学采用半偏法设计的电路如图所示，他做此实验的主要实验步骤为：a.闭合开关S，调节电阻箱R₀使其阻值为0，调节滑动变阻器R的滑动触头P，使电压表___________（填“满偏”或“半偏”）；b.保持滑动触头P的位置不动，调节电阻箱R₀的阻值，使电压表___________（填“满偏”或“半偏”），并读取此时电阻箱的阻值.

（2）在器材的选择上，滑动变阻器应选___________，电阻箱应选___________.（用器材前的序号字母表示）

如果该同学在上述步骤b中从电阻箱上读取的阻值为r,则此电压表的内阻R_V=___________.用上述方法测出的电压表内阻的测量值R_V___________（填“大于”“等于”或“小于”）电压表内阻的真实值.

(2011年湖北黄冈质检)如图所示，用粗细均匀的电阻丝折成平面梯形框架，ab、cd边均与ad边成60°角，ab＝bc＝cd＝L，长度为L的电阻丝电阻为r，框架与一电动势为E，内阻为r的电源相连接，垂直于框架平面有磁感应强度为B的匀强磁场，则框架受到的安培力的合力大小为(　　)  

A．0	B．
C．	D．

(2011年黄冈质检)如图所示，用粗细均匀的电阻丝折成平面梯形框架，ab、cd边均与ad边成60°角，ab＝bc＝cd＝L，长度为L的电阻丝电阻为r，框架与一电动势为E，内阻为r的电源相连接，垂直于框架平面有磁感应强度为B的匀强磁场，则框架受到的安培力的合力大小为(　　)

A．0	B．
C．	D．