题目内容

如图所示的容器，两端是直径不同的两个圆筒，里面各有一个活塞，其横截面积分别是SA=8cm2，SB=24cm2，质量分别为MA=8kg，MB=12kg．它们之间有一质量不计的轻杆相连，活塞可无摩擦滑动，但不漏气；活塞B的下面是和大气相通的，活塞A的上面是真空．若大气压强p0=1×105Pa，则被封闭气体的压强为______．
设被封闭气体压强为P，以A、B活塞为研究对象，根据平衡状态有：
P0SB+PSA=（MA+MB）g+PSB
带入数据解得：P=2.5×104Pa．
故答案为：2.5×104Pa．
练习册系列答案
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在常温下，氧分子的平均速率约为500 m/s.如果一个氧分子以这个速率垂直地打在容器壁上，并以相同的速率反弹回来，氧分子对容器的冲量是多少？氧分子的质量为5.3×10-26 kg.如果常温下某容器内氧化的压强为1 atm，试估算1 s内打在1 cm2面积上的氧分子个数.（假定每个氧分子都以平均速率垂直于容器壁的方向撞击器壁）

（1）（4分）某运动员吸一口气，吸进400cm的空气，据此估算他所吸进的空气分子的总数。已知1mol气体处于标准状态时的体积是22.4L。（结果保留一位有效数字）
（2）（4分）如图所示，绝热隔板S把绝热的气分隔成体积相等的两部分，S与气缸壁的接触是光滑的。两部分中分别盛有相同质量、相同温度的同种气体和，气体分子之间相互作用可忽略不计。现通过电热丝对气体缓慢加热一段时间后，各自达到新的平衡状态。试分析气体的压强、温度、内能的变化情况。
下列说法正确的是 （　　）
A．一定质量的气体，在体积不变时，分子每秒平均碰撞次数随着温度降低而减小
B．单晶体有固定的熔点，多晶体和非晶体没有固定的熔点
C．热量能够自发地从高温物体传递到低温物体，但不能自发地从低温物体传递到高温物体
D．当分子间的距离增大时，分子之间的引力和斥力均同时减小，而分子势能一定增大
E．生产半导体器件时，需要在纯净的半导体材料中掺人其他元素，可以在高温条件下利用分子的扩散来完成．
一定质量的气体，下列叙述中正确的是（　　）
A．如果体积减小，气体分子在单位时间内对单位面积器壁的碰撞次数一定增大
B．如果压强增大且温度不变，气体分子在单位时间内对单位面积器壁的碰撞次数一定增大
C．如果温度升高，气体分子在单位时间内对单位面积器壁的碰撞次数一定增大
D．如果分子密度增大，气体分子在单位时间内对单位面积器壁的碰撞次数一定增大
向一个气球打气，打的气越多，气球中的气体压强越______，打的气越少，气球中的气体的压强就越______，压强的单位是______．
内壁光滑的导热气缸竖直放置，用不计质量的活塞封闭了一定质量的理想气体，活塞上物了质量m=0.5kg的沙子，整个装置放在t=-23℃的恒温环境中，此时气体的体积为V1=5.0×10-4m3，再将温度缓慢的调到t2=27℃，并保持不变。此时体积变为V2，然后在t2=27℃的环境中，缓慢将活塞上方的沙子移除，气体的体积将变为V3。已知活塞面积S=1.0×10-4m2。大气压强P0=1.0×105Pa，g取10m/s2。求：

①当t2=27℃时气体的体积V2；
②气缸内气体的最终体积V3（结果保留两位有效数字）
某同学研究一定质量理想气体的状态变化，得出如下的P-t图象。已知在状态B时气体的体积VB =3L，求

①气体在状态A的压强；
②气体在状态C的体积。
内壁光滑的导热气缸竖直浸放在盛有冰水混合物的水槽中，用不计质量的活塞封闭压强为P1=1．0×105Pa，体积为Vl=2．0×10-3m3的理想气体。现在活塞上方缓缓倒上砂子，使封闭气体的体积变为原来的一半。求：
（1）此时气缸内气体的压强P2；
（2）此过程气体是吸热还是放热?简要说明理由。

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