题目内容
一带正电的小球沿光滑水平桌面向右运动,飞离桌面后进入匀强磁场,如图所示,若飞行时间t1后落在地板上,水平射程为s1,着地速度大小为v1,撤去磁场,其他条件不变,小球飞行时间t2,水平射程s2,着地速度大小为v2,则( )
A、s2>s1 | B、t1>t2 | C、v1>v2 | D、v1=v2 |
练习册系列答案
相关题目
电子感应加速器的基本原理如图所示.在上、下两个电磁铁形成的异名磁极之间有一个环形真空室.图甲为侧视图,图乙为真空室的俯视图.电磁铁中通以交变电流,使两极间的磁场周期性变化,从而在真空室内产生感生电场,将电子从电子枪右端注入真空室,电子在感生电场的作用下被加速,同时在洛伦兹力的作用下,在真空室中沿逆时针方向(图乙中箭头方向)做圆周运动.由于感生电场的周期性变化使电子只能在某段时间内被加速,但由于电子的质量很小,故在极短时间内被加速的电子可在真空室内回旋数10万以至数百万次,并获得很高的能量.若磁场的磁感应强度B(图乙中垂直纸面向外为正)随时间变化的关系如图丙所示,不考虑电子质量的变化,则下列说法中正确的是( )
A、电子在真空室中做匀速圆周运动 | ||||
B、电子在运动时的加速度始终指向圆心 | ||||
C、在丙图所示的第一个周期中,电子只能在0~
| ||||
D、在丙图所示的第一个周期中,电子在0~
|
如图所示,三个半径分别为R、2R、6R的同心圆将空间分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、四个区域,其中圆形区域Ⅰ和环形区域Ⅲ内有垂直纸面向里的匀强磁场,磁感应强度分别为B和
.一个质子从区域Ⅰ边界上的A点以速度v沿半径方向射入磁场,经磁场偏转后恰好从区域Ⅰ边界上的C点飞出,AO垂直CO,则关于质子的运动下列说法正确的是( )
B |
2 |
A、质子最终将离开区域Ⅲ在区域Ⅳ内匀速运动 |
B、质子最终将一直在区域Ⅲ内做匀速圆周运动 |
C、质子能够回到初始点A,且周而复始地运动 |
D、质子能够回到初始点A,且回到初始点前,在区域Ⅲ中运动的时间是在区域Ⅰ中运动时间的3倍 |
如图所示,两个半径相同的半圆形光滑轨道置于竖直平面内,左右两端登高,分别处于沿水平方向的匀强磁场和匀强电场中.两个相同的带正电小球a、b同时从两轨道左端最高点由静止释放,M、N为轨道最低点,则下列说法中正确的是( )
A、两个小球到达轨道最低点的速度vM<vN | B、两个小球第一次经过轨道最低点时对轨道的压力FM>FN | C、磁场中a小球能到达轨道另一端最高处,电场中b小球不能到达轨道另一端最高处 | D、a小球第一次到达M点的时间大于b小球第一次到达N点的时间 |
如图所示,D是一只理想二极管,电流只能从a流向b,而不能从b流向a0.平板电容器的A、B两极板之间有一电荷,在P点处于静止状态.以φp表示P点的电势,U表示两极板间电压,EP表示电荷在电场中的电势能.若保持极板B不动,将极板A稍向上平移,则下列说法中正确( )
A、U变大 | B、φp不变 | C、Ep变大 | D、电荷将向上加速 |
如图所示,平行板电容器与电动势为E的直流电源(内阻不计)连接,下极板接地.一带电油滴位于容器中的P点且恰好处于平衡状态.现将平行板电容器的上极板竖直向上移动一小段距离后( )
A、P点的电势将降低 | B、P带电油滴的电势能将增大 | C、带电油滴将沿竖直方向向上运动 | D、电容器的电容减小,极板带电量将增大 |
如图甲所示,等离子气流由左方连续以速度v0射入P1和P2两板间的匀强磁场中,直导线ab与P1、P2相连接,线圈A与直导线cd连接.线圈A内有随图乙所示变化的磁场,且规定磁场的正方向向左,则下列叙述正确的是( )
A、0~1s内ab、cd导线互相排斥 | B、1~2s内ab、cd导线互相吸引 | C、2~3s内ab、cd导线互相吸引 | D、3~4s内ab、cd导线互相吸引 |
如图所示,通过水平绝缘传送带输送完全相同的铜线圈,线圈等距离排列,且与传送带以相同的速度匀速运动.为了检测出个别未闭合的不合格线圈,让传送带通过一固定匀强磁场区域,磁场方向垂直于传送带运动方向,根据穿过磁场后线圈间的距离,就能够检测出不合格线圈.通过观察图形,判断下列说法正确的是( )
A、若线圈闭合,进入磁场时,线圈中感应电流方向从上向下看为逆时针 | B、若线圈闭合,传送带以较大速度匀速运动时,磁场对线圈的作用力增大 | C、从图中可以看出,第2个线圈是不合格线圈 | D、从图中可以看出,第3个线圈是不合格线圈 |
下列说法正确的是 ( )
A、一定质量的气体,在体积不变时,分子每秒平均碰撞次数随着温度降低而减小 | B、单晶体有固定的熔点,多晶体和非晶体没有固定的熔点 | C、热量能够自发地从高温物体传递到低温物体,但不能自发地从低温物体传递到高温物体 | D、当分子间的距离增大时,分子之间的引力和斥力均同时减小,而分子势能一定增大 | E、生产半导体器件时,需要在纯净的半导体材料中掺人其他元素,可以在高温条件下利用分子的扩散来完成. |