题目内容
对于扼流圈的以下说法,正确的是( )
A.扼流圈是利用电感阻碍交变电流的作用制成的 |
B.低频扼流圈用来“通低频、阻高频” |
C.高频扼流圈用来“通直流、阻交流” |
D.高频扼流圈对低频交变电流阻碍作用减小,对高频交变电流阻碍作用很大 |
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解析试题分析:扼流圈其实就是电感线圈,它在电路中起到通直流,阻交流的作用,故A是正确的;所谓低频扼流圈就是对低频有明显的阻碍作用,它是通直流、阻交流,高频扼流圈对高频有明显的阻碍作用,它是通低频、阻高频,故B、C是不对的,D是正确的。
考点:低频扼流圈、高频扼流圈的作用。
练习册系列答案
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如图所示,两光滑导轨相距为L,倾斜放置,与水平地面夹角为θ,上端接一电容为C的电容器。导轨上有一质量为m长为L的导体棒平行地面放置,导体棒离地面的高度为h,磁感强度为B的匀强磁场与两导轨所决定的平面垂直,开始时电容器不带电。将导体棒由静止释放,整个电路电阻不计,则( )
A.导体棒先做加速运动,后作匀速运动 |
B.导体棒一直做匀加速直线运动,加速度为 |
C.导体棒落地时瞬时速度 |
D.导体棒下落中减少的重力势能转化为动能,机械能守恒 |
在匀强磁场中有一圆形的闭合导体线圈,线圈平面垂直于磁场方向,当线圈在此磁场中做下列哪些运动时,线圈中能产生感应电流
A.线圈沿自身所在的平面做匀速运动 |
B.线圈沿自身所在的平面做加速运动 |
C.线圈绕任意一条直径做转动 |
D.线圈沿着磁场方向向上移动 |
如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是
A.图2正确,且S1>S2 | B.图2正确,且S1=S2 |
C.图3正确,且S3>S4 | D.图3正确,且S3=S4 |
如图所示,以平面框架宽m,与水平面成角,上下两端各有一个电阻,框架其他部分的电阻不计.垂直于框架平面的方向上存在向上的匀强磁场,磁感应强度T.金属杆长为m,质量为kg,电阻,与框架的动摩擦因数为,以初速度m/s向上滑行,直至上升到最高点的过程中,上端电阻产生的热量J.下列说法正确的是
A.上升过程中,金属杆两端点ab间最大电势差为3V |
B.ab杆沿斜面上升的最大距离为2m |
C.上升过程中,通过ab杆的总电荷量为0.2C |
D.上升过程中,电路中产生的总热量30J |