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关于通电直导线在磁场中所受的安培力，下列说法中正确的是 
A．通电直导线在磁场中一定受到安培力的作用
B．安培力大小仅与磁感应强度、电流大小成正比，而与其他量无关
C．安培力的方向不一定垂直于通电直导线
D．安培力的方向总是垂直于磁场和通电直导线所构成的平面
D
通电直导线平行于磁场放入时不受安培力的作用，A错
安培力大小与磁感应强度、电流大小、导线长度成正比，还与导线如何放置有关，B错
安培力的方向总是垂直于磁场和通电直导线所构成的平面，与导线垂直也与磁场垂直，C错D对，故应该选D
练习册系列答案
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如图所示,在直线电流附近有一根金属棒ab,当金属棒以b端为圆心,以ab为半径,在过导线的平面内匀速旋转达到图中的位置时(   )。
A．a端聚积电子B．b端聚积电子
C．ua<ubD．ua>ub
在倾斜角θ＝30°的光滑导体滑轨A和B的上端接入一个电动势E＝3 V，内阻不计的电源，滑轨间距L＝10 cm，将一个质量m＝30 g，电阻R＝0.5 Ω的金属棒水平放置在滑轨上，若滑轨周围加一匀强磁场，当闭合开关S后，金属棒刚好静止在滑轨上，如图所示，求滑轨周围空间所加磁场磁感应强度的最小值及其方向．
下图所示的磁场B、电流I和安培力F的相互关系，其中正确的是:（   ）
如图所示，在倾角为θ的光滑斜面上，垂直纸面水平放置一根长为L，质量为m的通电直导线，电流方向垂直纸面向里，欲使导线静止于斜面上，则外加磁场的磁感应强度的大小和方向可以是（    ）
                                                
A．B=mgtanθ/IL，方向垂直斜面向下
B．B=mgtanθ／IL，方向竖直向下
C．B=mg／IL，方向水平向左
D．B=mgcosθ/IL，方向水平向右
两条导线互相垂直，相隔一段较小的距离，如图所示；其中一条AB是固定的，另一条CD能自由转动，当直流电流按图示方向通入两条导线时，CD导线将：（ 　 ）
A．逆时针方向转动，同时靠近导线AB
B．顺时针方向转动，同时靠近导线AB
C．逆时针方向转动，同时离开导线AB
D．顺时针方向转动，同时离开导线AB
如图所示，垂直于纸面向里的匀强磁场，磁感应强度随时间的变化率为DB/Dt＝k（为常量）．一边长为的线框，其电阻为R，线框有一半面积处于磁场区域中．则线框中感应电流的功率为____________；安培力随时间的变化率为____________．
一根长2m的直导线，通有1A的电流，把它放在B=0.2T的匀强磁场中，并与磁场方向垂直，导线所受的安培力大小是(   )
A．0B． 0.4 NC．0.8 ND． 0.2 N
下列说法中正确的是
A．磁场中某处的磁感应强度大小，就是通以电流I、长为L 的一小段导线放在该处时所受磁场力F与I、L的乘积的比值
B．一小段通电导线放在某处不受磁场力作用，则该处一定没有磁场
C．一小段通电导线放在磁场中A处时所受磁场力比放在B处大，则A处时磁感应强度一定比B处的磁感应强度大
D．磁场中某处磁感应强度的大小与放在该处的导线长L及通过该导线的电流I无关

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