题目内容
如图甲所示,导体框架abcd的ab、cd边平行,框架平面与水平面的夹角为θ,质量为m的导体棒PQ垂直放在两平行导轨ab、cd上,导体棒与框架构成回路的总电阻为R,整个装置处于垂直于框架平面的变化磁场中,磁感应强度(取垂直框架向上为正)随时间变化规律如图乙所示.PQ能始终保持静止,则在0?t2时间内,回路中电流i随时间t变化的图象(取P→Q→c→b→P方向为正)和PQ受到的摩擦力f随时间t变化的图象(取平行于框架平面向上为正)可能正确的是( )
分析:由图看出,磁感应强度均匀增大,穿过PQcb回路的磁通量均匀增加,回路中产生恒定电流,根据安培力公式分析安培力大小的变化情况,由左手定则判断安培力方向,由平衡条件分析棒PQ受到的静摩擦力的大小变化情况.
解答:解:A、B由图看出,磁感应强度均匀变化,
一定,穿过PQcb回路的磁通量均匀变化,根据法拉第电磁感应定律得知,回路中产生的感应电动势恒定不变,感应电流也恒定不变,根据楞次定律得知,回路中感应电流方向沿P→Q→c→b→P方向,为正;故A错误,B正确.
C、由左手定则判断可知,在0-t1时间内,导体棒PQ所受安培力方向沿斜面向上.由F=BIL可知,B均匀减小,PQ所受安培力大小F均匀减小,若静摩擦力沿斜面向上,根据平衡条件得到,棒PQ受到的静摩擦力大小f=mgsinθ-F,F均匀减小,则f均匀增大.在t1-t2时间内,导体棒PQ所受安培力方向沿斜面向下.由F=BIL可知,B均匀增大,PQ所受安培力大小F均匀增大,静摩擦力沿斜面向上,根据平衡条件得到,棒PQ受到的静摩擦力大小f=F+mgsinθ,F均匀增大,则f均匀增大.故C正确.
D、由左手定则判断可知,在0-t1时间内,导体棒PQ所受安培力方向沿斜面向上.由F=BIL可知,B均匀减小,PQ所受安培力大小F均匀减小,若静摩擦力沿斜面向下,根据平衡条件得到,棒PQ受到的静摩擦力大小f=F-mgsinθ,F均匀减小,则f均匀减小.
在t1-t2时间内,导体棒PQ所受安培力方向沿斜面向下.由F=BIL可知,B均匀增大,PQ所受安培力大小F均匀增大,静摩擦力沿斜面向上,为正.根据平衡条件得到,棒PQ受到的静摩擦力大小f=F+mgsinθ,F均匀增大,则f均匀增大.故D错误.
故选:BC
△B |
△t |
C、由左手定则判断可知,在0-t1时间内,导体棒PQ所受安培力方向沿斜面向上.由F=BIL可知,B均匀减小,PQ所受安培力大小F均匀减小,若静摩擦力沿斜面向上,根据平衡条件得到,棒PQ受到的静摩擦力大小f=mgsinθ-F,F均匀减小,则f均匀增大.在t1-t2时间内,导体棒PQ所受安培力方向沿斜面向下.由F=BIL可知,B均匀增大,PQ所受安培力大小F均匀增大,静摩擦力沿斜面向上,根据平衡条件得到,棒PQ受到的静摩擦力大小f=F+mgsinθ,F均匀增大,则f均匀增大.故C正确.
D、由左手定则判断可知,在0-t1时间内,导体棒PQ所受安培力方向沿斜面向上.由F=BIL可知,B均匀减小,PQ所受安培力大小F均匀减小,若静摩擦力沿斜面向下,根据平衡条件得到,棒PQ受到的静摩擦力大小f=F-mgsinθ,F均匀减小,则f均匀减小.
在t1-t2时间内,导体棒PQ所受安培力方向沿斜面向下.由F=BIL可知,B均匀增大,PQ所受安培力大小F均匀增大,静摩擦力沿斜面向上,为正.根据平衡条件得到,棒PQ受到的静摩擦力大小f=F+mgsinθ,F均匀增大,则f均匀增大.故D错误.
故选:BC
点评:本题是楞次定律、安培力和力平衡等知识的综合应用,直接由楞次定律判断安培力的方向,也可以由楞次定律、左手定则结合判断安培力方向.
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