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如图所示，电阻可忽略的平行导轨MN与PQ，闭合导线环H与导轨在同一水平面，有匀强磁场垂直穿过导轨平面．金属杆AB与导轨保持良好接触，并沿导轨在aa′与bb′之间做简谐运动，平衡位置在OO′，当H中沿逆时针方向的感应电流最大时，AB杆应处于（　　）
A、向左经过OO′时B、向右经过OO′时C、aa′位置D、bb′位置
练习册系列答案
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如图，在y轴右侧存在与xoy平面垂直范围足够大的匀强磁场，磁感应强度的大小为B，位于坐标原点的粒子源在xoy平面内发射出大量完全相同的带电负粒子，所有粒子的初速度大小均为v0，方向与x轴正方向的夹角分布在60°～-60°范围内，在x=l处垂直x轴放置一荧光屏S．已知沿x轴正方向发射的粒子经过了荧光屏S上y=-l的点，则（　　）
A、粒子的比荷为
q
m
=
v0
lB
B、粒子的运动半径一定等于2l
C、粒子在磁场中运动时间一定不超过
πl
v0
D、粒子打在荧光屏S上亮线的长度大于2l
如图所示，平行板电容器与电动势为E的直流电源（内阻不计）连接，下极板接地．在两板间的P点固定一个带正电的试探电荷．现将电容器的下极板竖直向下移动一小段距离，使两极板间的距离增大，则（　　）
A、两极板间的电势差增大B、两极板间的电场强度保持不变C、固定在P点的正电荷电势能增加D、P点的电势降低
如图所示，一闭合小线框从蹄形磁铁的N极正上方水平移动到S极的正上方，从上往下看，此过程中小线框中感应电流的方向（　　）
A、始终顺时针B、始终逆时针C、先顺时针后逆时针D、先逆时针后顺时针
如图所示，一个闭合等腰梯形导线框位于竖直平面内，其下方（略靠前）固定一根与线框平面平行的水平直导线，导线中通以图示方向的恒定电流．释放线框，它由实线位置下落到虚线位置未发生转动，在此过程中（　　）
A、线框的磁通量为零时，感应电流不为零B、线框所有受安培力的合力为零，做自由落体运动C、线框中感应电流方向先为逆时针，后为顺时针D、线框所受安培力的合力方向依次为向上→向下→向上
2013年4月中国科学家首次观察到反常霍尔效应．以下来分析一个常规霍尔效应：如图所示，厚度为h，宽度为d的导体板放在垂直于它的磁感应强度为B的匀强磁场中．当电流通过导体板时，在导体板的上表面A和下表面A′之间会产生电势差，这种现象称为霍尔效应．实验表明，当磁场不太强时，电势差U、电流I和B的关系式为U=
KIB
d
，式中的比例系数K称为霍尔系数，设导体板单位体积中自由电子的个数为n，电子量为e．则下列说法正确的是（　　）
A、A的电势高于A′的电势，霍尔系数K=ne
B、A的电势低于A′的电势，霍尔系数K=ne
C、A的电势高于A′的电势，霍尔系数K=
1
ne
D、A的电势低于A′的电势，霍尔系数K=
1
ne
采用油膜法估测分子的直径，需要测量的物理是（　　）
A、1滴油的质量和它的密度B、1滴油的体积和它的密度C、1滴油的体积和它散成油膜的最大面积D、所散成的油膜的厚度和它的密度
下列说法正确的是（　　）
A、一定质量的气体，在体积不变时，分子每秒与器壁平均碰撞次数随着温度降低而减小B、晶体熔化时吸收热量，分子平均动能一定增大C、空调既能制热又能制冷，说明在不自发地条件下热传递方向性可以逆向D、外界对气体做功时，其内能一定会增大E、生产半导体器件时，需要在纯净的半导体材料中掺人其他元素，可以在高温条件下利用分子的扩散来完成
如图，粗细均匀的弯曲玻璃管两端开口，a、b管内有一段水银柱，c管竖直插入水银槽中，b、c管内封有一段空气，则（　　）
A、若水银槽稍向下移一段距离，则b管水银面下降B、若玻璃管以b、c间的水平管为轴略有转动，则c管水银面上升C、若环境温度升高，则b管水银面下降的高度等于c管水银面下降的高度D、若往a管注入一些水银，则b管水银面上升的高度大于c管水银面下降的高度

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