题目内容
如图所示,质量为m的U型金属框M′MNN′,静放在倾角为θ的粗糙绝缘斜面上,与斜面间的动摩擦因数为μ,且最大静摩擦力等于滑动摩擦力;MM′、NN′边相互平行,相距L,电阻不计且足够长;底边MN垂直于MM′,电阻为r;光滑导体棒ab电阻为R,横放在框架上;整个装置处于垂直斜面向上、磁感应强度为B的匀强磁场中.在沿斜面向上与ab垂直的拉力作用下,ab沿斜面向上运动.若导体棒ab与MM′、NN′始终保持良好接触,且重力不计.则:
(1)当导体棒ab速度为v0时,框架保持静止,求此时底边MN中所通过的电流I0,以及MN边所受安培力的大小和方向.
(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,通过底边MN的电流I多大?此时导体棒ab的速度v是多少?
(1)当导体棒ab速度为v0时,框架保持静止,求此时底边MN中所通过的电流I0,以及MN边所受安培力的大小和方向.
(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,通过底边MN的电流I多大?此时导体棒ab的速度v是多少?
分析:(1)由公式E=BLv、I=
求解感应电流.由F=BIL,求解安培力,由右手定则判断感应电流的方向,由左手定则判断安培力的方向;
(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,MN受到的安培力等于框架的重力沿斜面向下与最大静摩擦力之和,可求出通过底边MN的电流I.由I=
=
求解此时导体棒ab的速度v.
E |
R+r |
(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,MN受到的安培力等于框架的重力沿斜面向下与最大静摩擦力之和,可求出通过底边MN的电流I.由I=
E |
R+r |
BLv |
R+r |
解答:解:(1)ab中的感应电动势E0=BLv0
回路中电流I0=
=
此时底边MN所受的安培力 FA=BI0L=B
L=
由左手定则判断可知:安培力方向沿斜面向上
(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,MN受到的安培力
FA=mgsinθ+μmgcosθ
又 FA=BIL
解得 I=
又I=
=
解得 v=
答:(1)当导体棒ab速度为v0时,框架保持静止,底边MN中所通过的电流I0是
,MN边所受安培力的大小是
,方向沿斜面向上.
(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,通过底边MN的电流I为
,此时导体棒ab的速度v是
.
回路中电流I0=
E0 |
R+r |
BLv0 |
R+r |
此时底边MN所受的安培力 FA=BI0L=B
BLv0 |
R+r |
B2L2v0 |
R+r |
由左手定则判断可知:安培力方向沿斜面向上
(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,MN受到的安培力
FA=mgsinθ+μmgcosθ
又 FA=BIL
解得 I=
mg(sinθ+μcosθ) |
BL |
又I=
E |
R+r |
BLv |
R+r |
解得 v=
mg(R+r)(sinθ+μcosθ) |
B2L2 |
答:(1)当导体棒ab速度为v0时,框架保持静止,底边MN中所通过的电流I0是
BLv0 |
R+r |
B2L2v0 |
R+r |
(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,通过底边MN的电流I为
mg(sinθ+μcosθ) |
BL |
mg(R+r)(sinθ+μcosθ) |
B2L2 |
点评:本题是电磁感应中的力学问题,电磁与力联系桥梁是安培力,这种类问题关键在于安培力的分析和计算.
练习册系列答案
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如图所示,质量为M的楔形物块静止在水平地面上,其斜面的倾角为θ.斜面上有一质量为m的小物块,小物块与斜面之间存在摩擦.用恒力F沿斜面向上拉,使之匀速上滑.在小物块运动的过程中,楔形物块始终保持静止,则( )
A、地面对楔形物块的支持力为(M+m)g | B、地面对楔形物块的摩擦力为零 | C、楔形物块对小物块摩擦力可能为零 | D、小物块一定受到四个力作用 |