题目内容

【题目】在离体实验条件下,突触后膜受到不同刺激,膜电位变化的情况如图所示,有关说法正确的是(

A.突触后膜只能是下一个神经元的胞体膜

B.突触后膜上的受体与相应递质结合发挥作用后受体即被灭活

C.电位2表示突触后膜受到抑制性递质的作用,可能是K+大量外流所致

D.电位1表示突触后膜受到兴奋性递质的作用,是Na+大量内流导致的

【答案】D

【解析】

据图电位1突触后膜电位增加逐渐变成正值,然后恢复静息电位,此时突触后膜兴奋;电位2突触后膜电位进一步降低,然后又恢复静息电位,此时突触后膜抑制。

A、突触后膜可能是下一神经元的胞体膜或树突膜,A错误;

B、神经递质与突触后膜上的特异性受体结合发挥作用后立刻被灭活,而不是受体被灭活,B错误;

C、发生电位2很可能是突触后膜接受抑制性神经递质后引起阴离子内流的结果,可能是Cl-大量内流所致,C错误;

D、电位1为动作电位,是突触后膜受体接受兴奋性神经递质后,引起膜上Na+通道开放,Na+大量内流导致的,D正确。

故选D

练习册系列答案
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【题目】玉米(2N=20)是重要的粮食作物之一.请分析回答下列有关遗传学问题:

(1)某玉米品种2号染色体上的基因S、s控制一对相对性状,基因S在编码蛋白质时,控制最前端几个氨基酸的DNA序列如图1所示.已知起始密码子为AUG或GUG。

①如果进行玉米的基因组测序,需要检测__________条染色体的DNA序列。

②基因S发生转录时,作为模板链的是图1中的__________链.若基因S的b链中箭头所指碱基对G/C缺失,则该处对应的密码子将改变为___________

(2)玉米的高杆易倒伏(H)对矮秆抗倒伏(h)为显性,抗病(R)对易感病(r)为显性,两对基因分别位于两对同源染色体上.上图2表示利用品种甲(HHRR)和乙(hhrr)通过三种育种方法(Ⅰ~Ⅲ)培育优良品种(hhRR)的过程。

①利用方法Ⅰ培育优良品种时,获得hR植株常用的方法为__________,这种植株由于__________,须经诱导染色体加倍后才能用于生产实践.图2所示的三种方法(Ⅰ~Ⅲ)中,最难获得优良品种(hhRR)的是方法__________,其原因是______________________________

②用方法Ⅱ培育优良品种时,先将基因型为HhRr的植株自交获得子代(F2),F2代植株中自交会发生性状分离的基因型共有_____种,这些植株在全部F2代中的比例为___________________.若将F2代的全部高秆抗病植株去除雄蕊,用F2代矮秆抗病植株的花粉随机授粉,则杂交所得子代中的纯合矮秆抗病植株占_________

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