题目内容
【题目】下列各项比较中前者高于（或大于或强于）后者的是
A. CH4在水中的溶解度和NH3在水中的溶解度
B. I2在水中的溶解度和I2在CCl4中的溶解度
C. I与H形成共价键的极性和F与H形成共价键的极性
D. 对羟基苯甲醛（
）和邻羟基苯甲醛（
）的沸点
【答案】D
【解析】
A. CH4不溶于水，NH3极易溶于水，故A不符合题意；
B.I2是非极性分子,水是极性分子,CCl4是非极性分子,根据相似相溶原理,I2在水中的溶解度小于I2在 CCl4溶液中的溶解度，故B错误;
C. I的非金属性小于F，所以I与H形成共价键的极性比F与H形成共价键的极性弱，故C错误；
D.邻羟基苯甲醛的两个基团靠的很近,能形成分子内氢键,使熔沸点降低;而对羟基苯甲醛能够形成分子间氢键,使熔沸点升高,所以对羟基苯甲醛比邻羟基苯甲醛熔、沸点高,故D正确;
综上所述，本题正确答案为D。
【题目】某强酸性无色溶液中可能含下表离子中的若干种离子。
阳离子 | Mg2+、NH4+、Ba2+、Al3+、Fe2+ |
阴离子 | SiO32-、MnO4-、Cl-、NO3-、SO32- |
实验I ：取少量该试液进行如下实验。
实验Ⅱ：为了进一步确定该溶液的组成，取100 mL原溶液，向该溶液中滴加1 mol L-l的 NaOH溶液，产生沉淀的质量与氢氧化钠溶液体积的关系如图所示。
回答下列问题：
（1）不进行实验就可以推断出，上表中的离子一定不存在的有___________种。
（2）通过实验I可以确定该溶液中一定存在的阴离子是_____________。检验气体X的方法是______________________；沉淀Z的化学式为_________________。
（3）写出实验Ⅱ的图象中BC段对应的离子方程式：_____________________________________。
（4） A点对应的固体质量为__________g。
（5）通过上述信息，推算该溶液中阴离子的浓度为______________mol L-l。
【题目】第三代半导体材料氮化镓(GaN)适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。回答下列问题：
(1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为_________________________，第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有_______种。
(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为_______，其中σ键的对称方式为___________。与CN—互为等电子体的分子为___________。
(3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为_________。NF3的空间构型为____________。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因_________________________________________________________。
GaN | GaP | GaAs | |
熔点 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
(5)GaN晶胞结构如下图所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏加德罗常数的值为NA。
① 晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____________；
② GaN的密度为______________________g·cm3(用a、NA表示)。
