题目内容
| 化学键 | Si-O | Si-Si | O=O | Si-C |
| 键能/（kJ/mol） | 460 | 176 | 498 | 155[ |
| A、-246kJ?mol-1 |
| B、+246kJ?mol-1 |
| C、-990kJ?mol-1 |
| D、+990kJ?mol-1 |
因晶体硅中每个Si原子与周围的4个硅原子形成正四面体，向空间延伸的立体网状结构，每Si原子与周围的4个Si原子形成4个Si-Si键，每个Si-Si键为1个Si原子提供
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反应热△H=反应物总键能-生成物总键能，所以Si（s）+O2（g）=SiO2（s）中，
△H=176kJ/mol×2mol+498kJ/mol-460kJ/mol×4=-990 kJ/mol；
故选C．
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键能的大小可以衡量化学键的强弱，也可以用于估算化学反应的反应热（△H），化学反应的△H等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的键能之和的差．参考以下表格的键能数据，回答下列问题：
（6分）键能的大小可以衡量化学键的强弱，也可以用于估算化学反应的反应热（△H），化学反应的△H等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的化学键能之和的差。参考以下表格的键能数据，回答下列问题：
| 化学键 | Si-O | Si-Cl | H-H | H-Cl | Si-Si | Si-C |
| 键能/KJ.mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
(1)比较下列两组物质的熔点高低（填“>”“<”）
SiC_______Si; SiCl4_______SiO2
(2)能否根据键能的数据判断单质Si晶体和化合物SiCl4的熔点高低？ （填“能”或“不能”）原因是：
(3)
工业上高纯硅可通过下列反应制取：
SiCl4（g）+2H2（g） Si(s)+4HCl(g)
计算该反应的反应热△H为 。
选做题：26—27两题任选做一题，若全做按26题计分。
（10分）键能的大小可以衡量化学键的强弱，也可以用于估算化学反应的反应热（△H），化学反应的△H等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的键能之和的差。参考以下表格的键能数据，回答下列问题：
| 化学键 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
键能 /kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
（2）能不能根据键能的数据判断单质Si 和化合物SiCl4的熔点高低？___（填“能”或“不能”），原因是_________
（3）如图立方体中心的“· ”表示金刚石晶体中的一个原子，请在立方体的顶点用“· ”表示出与之紧邻的碳原子
（4）工业上高纯硅可通过下列反应制取：
SiCl4(g) + 2H2（g） 高温 Si（s）+4HCl（g)
计算该反应的反应热△H为___
____________ 键能的大小可以衡量化学键的强弱，也可以用于估算化学反应的反应热（△H），化学反应的△H等于反应中断裂旧化学键的键能之和与反应中形成新化学键的键能之和的差。参考以下表格的键能数据，回答下列问题：
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化学键 |
Si—O |
Si—Cl |
H—H |
H—Cl |
Si—Si |
Si—C |
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键能/kJ·mol-1 |
460 |
360 |
436 |
431 |
176 |
347 |
（1）比较下列两组物质的熔点高低（填“>”或“<”）
SiC__________Si； SiCl4___________SiO2
（2）能不能根据键能的数据判断单质Si 和化合物SiCl4的熔点高低？____________（填“能”或“不能”），理由是___________________（提示对比二者晶体类型及内部微粒作用力）
（3）如右图立方体中心的“·”表示金刚石晶体中的一个原子，请在立方体的顶点用“·”表示出与之紧邻的碳原子；
（4）工业上高纯硅可通过下列反应制取：
SiCl4(g) + 2H2（g） 高温 Si（s）+4HCl（g)
计算该反应的反应热△H为______________________（要包含数据和焓变单位）