题目内容
镓(Ga)、锗( Ge)、砷(As)、硒(Se)均为第四周期的元素，它们在高科技尖端科学特别是信息领域有着广泛的用途。已知砷化镓的晶胞结构如图。试回答下列问题：
（1）下列说法不正确的是（选填序号） 。
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B．第一电离能：Se >As> Ge> Ga
C．镓、锗、砷、硒都属于p区元素
D．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
（2）砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3反应制备得到，该反应在700℃进行，反应的方程式为 ，AsH3空间形状为 。
（3）Ge的核外电子排布式为 ，H2 Se中硒原子的杂化方式为 。
（4）AsH3沸点比NH3低，其原因是： 。
【答案】
（1）AB （2）(CH3)3Ga
+AsH3 
GaAs+
3CH4 三角锥
（3）1s2p62s22p63s23p63d104s24p2 sp3 （4）NH3分子间存在氢键
【解析】
试题分析：（1）A、NaCl晶胞中配位数是6，该晶胞中配位数是4，故晶胞结构不同，错误；B、第ⅥA族元素最外层电子排布为ns2np3，为半满的稳定结构，第一电离能大于相邻的同周期元素，错误；D、原子数相同，最外层电子总数相同，故为等电子体，正确。（2）AsH3为sp3杂化，有一对孤电子对，故为三角锥型；（4）NH3分子间存在氢键，溶沸点高。
考点：考查物质结构中晶胞结构、等电子体、第一电离能、核外电子排布、杂化类型、熔沸点比较等内容。
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