题目内容
【题目】【化学——选修3：物质结构】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式 。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga As，第一电离能Ga As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立体构型为 ，其中As的杂化轨道类型为 。
（4）GaF3的熔点高于1000℃，GaCl3的熔点为77．9℃，其原因是 。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为
，其晶胞结构如图所示。
该晶体的类型为 。Ga与As的摩尔质量分别为
和
，原子半径分别为
和
，阿伏加德罗常数值为
，则
晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为 。（已知1m=1012pm）
【答案】（1）1s22s22p63s23p63d104s24p3 （2） 大于 小于 （3）三角锥形 sp3
（4）GaF3是离子晶体，GaCl3是分子晶体，离子晶体GaF3的熔沸点高；
（5）原子晶体；共价键 
【解析】
试题分析：（1）As的原子序数是33，则基态As原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s24p3。
（2）同周期自左向右原子半径逐渐减下，则原子半径Ga大于As，由于As的4p轨道电子处于半充满状态，稳定性强，所以第一电离能Ga小于As。
（3）AsCl3分子的价层电子对数为4，含有一对孤对电子，所以立体构型为三角锥形，其中As的杂化轨道类型为sp3。
（4）由于GaF3是离子晶体，GaCl3是分子晶体，所以离子晶体GaF3的熔沸点高。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm3，其晶胞结构如图所示，熔点很高，所以晶体的类型为原子晶体，其中Ga与As以共价键键合。根据晶胞晶胞可知晶胞中Ca和As的个数均是4个，所以晶胞的体积是
。二者的原子半径分别为rGa pm和rAs pm，阿伏伽德罗常数值为NA，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为
×100%＝。
