题目内容

Se是半导体材料，也是补硒保健品中的元素，工业上提取硒的方法之一是用H₂SO₄和NaNO₃处理含Se的工业废料而得到亚硒酸(H₂SeO₃)和少量硒酸(H₂SeO₄)Se是半导体材料，也是补硒保健品中的元素，工业上提取硒的方法之一是用H₂SO₄和NaNO₃处理含Se的工业废料而得到亚硒酸(H₂SeO₃)和少量硒酸(H₂SeO₄)．硒酸与盐酸共热可生成亚硒酸，反应为H₂SeO₄+2HCl＝H₂SeO₃+Cl₂↑+H₂O，当SO₂通入亚硒酸溶液中有单质硒析出．据此，下列说法中正确的是

A.
H₂SeO₄氧化性强于Cl₂
B.
H₂SeO₃氧化性强于稀H₂SO₄
C.
SeO₂的还原性强于SO₂
D.
析出1mol Se需H₂SeO₃，SO₂，H₂O各1mol

A
根据题目的条件，结合氧化还原反应的有关知识，可知本题答案为A项导解：根据题目的条件，结合氧化还原反应的有关知识，可知本题答案为A项．

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（1）Ga在元素周期表的位置是

第四周期第IIIA族

，As的原子结构示意图

．
（2）Ga的原子核外电子排布式为：

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

．
（3）GaCl₃和AsF₃的空间构型分别是：GaCl₃

平面三角形

，AsF₃

三角锥形

．
（4）第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC，其结构跟金刚石相似，则SiC属于

Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化锌的晶胞中（结构如图所示），硫离子的配位数是

O₃（或SO₂）

Se是半导体材料，也是补硒保健品中的元素，工业上提取硒的方法之一是用H₂SO₄和NaNO₃处理含Se的工业废料而得到亚硒酸(H₂SeO₃)和少量硒酸(H₂SeO₄)．硒酸与盐酸共热可生成亚硒酸，反应为H₂SeO₄＋2HCl＝H₂SeO₃＋Cl₂↑＋H₂O，当SO₂通入亚硒酸溶液中有单质硒析出．据此，下列说法中正确的是

[　　]

A．H₂SeO₄氧化性强于Cl₂

B．H₂SeO₃氧化性强于稀H₂SO₄

C．SeO₂的还原性强于SO₂

D．析出1mol Se需H₂SeO₃，SO₂，H₂O各1mol

Ga和As在一定条件下可以合成GaAs，GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等．
（1）Ga在元素周期表的位置是______，As的原子结构示意图______．
（2）Ga的原子核外电子排布式为：______．
（3）GaCl₃和AsF₃的空间构型分别是：GaCl₃______，AsF₃______．
（4）第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC，其结构跟金刚石相似，则SiC属于______晶体，并写出其主要的物理性质______ （任2种）．
（5）第一电离能：As______Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化锌的晶胞中（结构如图所示），硫离子的配位数是______．
（7）二氧化硒分子的空间构型为______，写出它的1个等电子体的分子式______．