题目内容
【题目】依据不同的分类标准，HNO3可属于下列中的哪一类
①氧化物 ②含氧酸 ③一元酸 ④混合物 ⑤电解质
A. ②③⑤ B. ①②③ C. ①②④ D. ②③④
【答案】A
【解析】
从物质的组成上看，HNO3属于含氧酸、一元酸，从在水溶液中或在熔融状态下是否能够导电看，HNO3属于电解质，故②③⑤正确。
故选A。
口算能手系列答案【题目】利用化学原理可以对工厂排放的废水、废渣等进行有效检测与合理处理。某工厂对制革工业污泥中Cr(III)的处理工艺流程如下:
已知:①硫酸浸取液中的金属离子主要是Cr3+，其次是Fe2+、Al3+、Ca2+和Mg2+。②Cr2O72-+H2O
2CrO42-+2H+。③常温下，部分阳离子以氢氧化物形式沉淀时溶液的pH如下:
阳离子 | Fe2+ | Mg2+ | Al3+ | Cr3+ |
沉淀完全时的pH | 3.2 | 11.1 | 5.4(>8溶解) | 9(>9溶解) |
(1) 实验室用18.4mol/L的浓硫酸配制480mL2mol/L的硫酸，需量取浓硫酸_____mL；配制时除量筒、烧杯和玻璃棒外，还需用到的玻璃仪器有______________。
(2) H2O2的作用是将滤液I中的Cr3+转化为Cr2O72-,写出此反应的离子方程式:__________。
(3过滤II操作得到的滤渣主要为______(填化学式),滤液II中含有的离子主要有__。
(4) 钠离子交换树脂的反应原理为:Mn++nNaR=MRn+nNa+,则利用钠离子交换树脂可除去滤液II中的金属阳离子有_______________。
(5) 写出上述流程中用SO2进行还原时发生反应的离子方程式__________。
【题目】第三代半导体材料氮化镓(GaN)适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。回答下列问题：
(1)基态Ga原子价层电子的轨道表达式为_________________________，第一电离能介于N和B之间的第二周期元素有_______种。
(2)HCN分子中σ键与π键的数目之比为_______，其中σ键的对称方式为___________。与CN—互为等电子体的分子为___________。
(3)NaN3是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子中心原子的杂化轨道类型为_________。NF3的空间构型为____________。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因_________________________________________________________。
GaN | GaP | GaAs | |
熔点 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
(5)GaN晶胞结构如下图所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏加德罗常数的值为NA。
① 晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____________；
② GaN的密度为______________________g·cm3(用a、NA表示)。
