题目内容
四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:SiCl4+2H2
4HCl+Si下列说法不合理的是( )
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分析:A.硅位于金属与非金属元素的交界处;
B.该反应中有气体参加反应,改变压强,反应速率改变;
C.硅与氯气能发生氧化还原反应;
D.硅能与氧气反应.
B.该反应中有气体参加反应,改变压强,反应速率改变;
C.硅与氯气能发生氧化还原反应;
D.硅能与氧气反应.
解答:解:A.硅位于金属与非金属元素的交界处,硅具有金属性和非金属性,则反应制得的硅可用于制造半导体材料,故A正确;
B.该反应中有气体参加反应,则增大压强,化学反应速率增大,故B正确;
C.硅与氯气能发生氧化还原反应,则四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得,故C正确;
D.硅能与氧气反应生成二氧化硅,所以混入少量空气对上述反应有影响,故D错误;
故选D.
B.该反应中有气体参加反应,则增大压强,化学反应速率增大,故B正确;
C.硅与氯气能发生氧化还原反应,则四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得,故C正确;
D.硅能与氧气反应生成二氧化硅,所以混入少量空气对上述反应有影响,故D错误;
故选D.
点评:本题考查硅的提纯及硅的性质,明确硅在周期表的位置及硅与氯气、氧气等发生的化学反应即可解答,题目难度不大.
练习册系列答案
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四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:SiCl4(g)+2H2(g)
Si(s)+4HCl(g).下列说法合理的是( )
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| A、光导纤维的主要成分是硅单质 |
| B、减小压强有利于加快化学反应速率 |
| C、高温下,氢气的还原性强于硅 |
| D、混入少量空气对上述反应无影响 |
四氯化硅还原法是当前制备较高纯度硅的一种方法,有关反应的化学方程式为:
SiCl4+2H2
4HCl+Si
下列说法不合理的是
| A.反应制得的硅可用于制造半导体材料 |
| B.增大压强有利于加快上述反应的化学反应速率 |
| C.四氯化硅可以由粗硅与氯气通过化合反应制得 |
| D.混入少量空气对上述反应无影响 |