题目内容
下列说法不正确的是
- A.常温下,将铝片放入浓硝酸中,无明显现象,说明铝不与冷的浓硝酸反应
- B.元素由化合态变成游离态时,可能被氧化,也可能被还原
- C.自然界中没有游离态的硅,纯净的硅晶体可用于制作计算机芯片
- D.从海水中提取溴,一般要经历浓缩、氧化和提取三个步骤,氧化剂一般选择氯气
A
分析:A、铝在浓硝酸中发生反应生成一层致密的氧化物保护膜,阻止内部金属继续反应;
B、元素由化合态变成游离态时,元素的化合价可能升高,也可能降低;
C、硅元素具有亲氧性,硅具有良好的半导体性能;
D、海水中溴离子含量较低,应先浓缩富集,将溴离子转化为溴需要加入氧化剂,再利用溴的挥发性,鼓入热空气或热水蒸气将溴分离出来.
解答:A、铝在浓硝酸中发生反应生成一层致密的氧化物保护膜,阻止内部金属继续反应,发生钝化现象,故A错误;
B、元素由化合态变成游离态时,元素的化合价可能升高,也可能降低,化合价升高被氧化,化合价降低被还原,故B正确;
C、硅元素具有亲氧性,自然界中的硅元素以二氧化硅、硅酸盐的形式存在,硅具有良好的半导体性能,可以用于制作计算机芯片,故C正确;
D、海水中溴离子含量较低,应先浓缩富集,将溴离子转化为溴需要加入氧化剂,通常选择氯气,氧化溴离子得到单质溴:2Br-+Cl2═Br2+2Cl-,再利用溴的挥发性,鼓入热空气或热水蒸气将溴分离出来,故D正确;
故选A.
点评:本题考查Al、Si元素单质的性质、氧化还原反应、海水提取溴等,难度不大,注意A中钝化反应即可解答.
分析:A、铝在浓硝酸中发生反应生成一层致密的氧化物保护膜,阻止内部金属继续反应;
B、元素由化合态变成游离态时,元素的化合价可能升高,也可能降低;
C、硅元素具有亲氧性,硅具有良好的半导体性能;
D、海水中溴离子含量较低,应先浓缩富集,将溴离子转化为溴需要加入氧化剂,再利用溴的挥发性,鼓入热空气或热水蒸气将溴分离出来.
解答:A、铝在浓硝酸中发生反应生成一层致密的氧化物保护膜,阻止内部金属继续反应,发生钝化现象,故A错误;
B、元素由化合态变成游离态时,元素的化合价可能升高,也可能降低,化合价升高被氧化,化合价降低被还原,故B正确;
C、硅元素具有亲氧性,自然界中的硅元素以二氧化硅、硅酸盐的形式存在,硅具有良好的半导体性能,可以用于制作计算机芯片,故C正确;
D、海水中溴离子含量较低,应先浓缩富集,将溴离子转化为溴需要加入氧化剂,通常选择氯气,氧化溴离子得到单质溴:2Br-+Cl2═Br2+2Cl-,再利用溴的挥发性,鼓入热空气或热水蒸气将溴分离出来,故D正确;
故选A.
点评:本题考查Al、Si元素单质的性质、氧化还原反应、海水提取溴等,难度不大,注意A中钝化反应即可解答.
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