题目内容
Ⅰ．砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长．耗能少．已知砷化镓的晶胞结构如图所示．请回答下列问题：（1）下列说法正确的是
A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．第一电离能 As＞Ga C．电负性 As＞Ga D．原子半径 As＞Ga
（2）AsH3空间形状为
Ⅱ．金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业．
（3）Cu2+的核外电子排布式为
（4）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体，晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有
分析：（1）A．对比GaAs与NaCl中阴阳离子在晶胞中的分布可判断晶胞结构是否一样；
B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大；
C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大；
D．同周期自左而右原子半径减小；
（2）根据中心原子成键与含有孤电子对数判断分子的空间构型可杂化方式；
（3）根据能量最低原理书写电子排布式；
（4）[Cu（NH3）4]SO4晶体属于配合物，配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键，氨气分子、硫酸根离子中存在普通共价键．
B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大；
C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大；
D．同周期自左而右原子半径减小；
（2）根据中心原子成键与含有孤电子对数判断分子的空间构型可杂化方式；
（3）根据能量最低原理书写电子排布式；
（4）[Cu（NH3）4]SO4晶体属于配合物，配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键，氨气分子、硫酸根离子中存在普通共价键．
解答：解：（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误；
B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电离能：As＞Ga，故B正确；
C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确；
D．同周期自左而右原子半径减小，故原子半径As＜Ga，故D错误，
故答案为：BC；
（2）AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH3）3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化，故答案为：三角锥型；sp2；
（3）Cu为29号元素，Cu2+的核外有27个电子，其电子排布式为：1s22s22p63s23p63d9，
故答案为：1s22s22p63s23p63d9；
（4）[Cu（NH3）4]SO4晶体属于配合物，配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键，）[Cu（NH3）4]SO4晶体属于配合物，氨气分子、硫酸根离子中存在普通共价键，四氨合铜络离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键，
故答案为：离子键；配位键．
B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电离能：As＞Ga，故B正确；
C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确；
D．同周期自左而右原子半径减小，故原子半径As＜Ga，故D错误，
故答案为：BC；
（2）AsH3中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH3）3Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp2杂化，故答案为：三角锥型；sp2；
（3）Cu为29号元素，Cu2+的核外有27个电子，其电子排布式为：1s22s22p63s23p63d9，
故答案为：1s22s22p63s23p63d9；
（4）[Cu（NH3）4]SO4晶体属于配合物，配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键，）[Cu（NH3）4]SO4晶体属于配合物，氨气分子、硫酸根离子中存在普通共价键，四氨合铜络离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键，
故答案为：离子键；配位键．
点评：本题考查学生对物质结构与性质模块的掌握情况，重点考查结构知识，涉及电离能、电负性、原子半径、空间结构、杂化轨道、化学式，考查知识全面、覆盖广，难度适中．
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