题目内容
下列各项中表达正确的是
A. H、D、T表示同一种核素
B. F的结构示意图
C. Na2O的电子式
D. MgCl2的形成过程
氮的氧化物(NOx)是大气污染物之一,工业上在一定温度和催化剂条件下用NH3将NOx还原生成N2,某同学在实验室中对NH3与NOx反应进行了探究。回答下列问题:
(1)氨气的制备
①氨气的发生装置可以选择上图中的_________,反应的化学方程式为_______________。
②预收集一瓶干燥的氨气,选择上图中的装置,其连接顺序为:发生装置→______(按气流方向,用小写字母表示)。
(2)氨气与二氧化氮的反应
将上述收集到的NH3充入注射器X中,硬质玻璃管Y中加入少量催化剂,充入NO2(两端用夹子K1、K2夹好)。在一定温度下按图示装置进行实验。
操作步骤 | 实验现象 | 解释原因 |
打开K1,推动注射器活塞,使X中的气体缓慢通入Y管中 | ①Y管中_____________ | ②反应的化学方程式 ____________ |
将注射器活塞退回原处并固定,待装置恢复到室温 | Y管中有少量水珠 | 生成的气态水凝集 |
打开K2 | ③_______________ | ④______________ |
(1)下列变化:①碘的升华;②氧气溶于水;③氯化钠溶于水;④烧碱熔化;⑤氯化氢溶于水;⑥氯化铵受热分解。(填序号)
化学键没有被破坏的是________;仅发生离子键破坏的是_______ ; 仅发生共价键破坏的是________;既发生离子键又发生共价键破坏的是_______。
(2)已知1mol Si中含1mol Si—Si键。
化学键 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
键能/ kJ·mol-1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
请回答下列问题:
①已知Si、SiC、SiO2熔化时必须断裂所含化学键,比较下列物质的熔点高低(填“>”或“<”):SiC________Si。
②工业上高纯硅可通过下列反应制取:SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g),则2 mol H2生成高纯硅需________(填“吸收”或“放出”)能量________kJ。