题目内容
15.在除杂过程中要尽量除去杂质,加入的试剂必须稍过量,且最后过量物质可以使用物理方法或化学方法除去.现要除去NaCl中少量的CaCl2、Na2SO4杂质,下列选用试剂及使用顺序正确的是( )A. | Na2CO3、BaCl2、HCl | B. | BaCl2、Na2CO3、H2SO4 | ||
C. | BaCl2、Na2CO3、HCl | D. | Ba(NO3)2、Na2CO3、HCl |
分析 除去NaCl中少量的CaCl2、Na2SO4杂质,选择碳酸钠除去氯化钙,选择氯化钡除去硫酸钠,且碳酸钠一定在氯化钡之后,以此来解答.
解答 解:除去NaCl中少量的CaCl2、Na2SO4杂质,选择碳酸钠除去氯化钙,选择氯化钡除去硫酸钠,且碳酸钠一定在氯化钡之后,最后加盐酸除去过量的碳酸钠,则试剂及顺序为BaCl2、Na2CO3、HCl,
故选C.
点评 本题考查混合物的分离提纯,为高频考点,把握物质的性质及发生的反应、混合物分离为解答的关键,侧重分析与应用能力的考查,注意元素化合物知识的应用,题目难度不大.
练习册系列答案
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3.下列制定微粒的数目相等的是( )
A. | 等物质的量的水与重水含有的中子数 | |
B. | 等质量的乙烯和丙烯中含有的共用电子对数 | |
C. | 同温同压同体积的CO和NO含有的质子数 | |
D. | 等物质的量的镁和铝分别于足量氯气完全反应时转移的电子数 |
10.高纯度单晶硅是典型的无机非金属材料,又称“半导体”材料,它的发现和使用曾引起计算机的一场“革命”.这种材料可以按下列方法制备:
SiO2$→_{高温}^{①C}$Si(粗)$→_{300℃}^{②HCl}$SiHCl3$→_{1000-1100℃}^{③过量H_{2}}$Si(纯)下列说法正确的是( )
SiO2$→_{高温}^{①C}$Si(粗)$→_{300℃}^{②HCl}$SiHCl3$→_{1000-1100℃}^{③过量H_{2}}$Si(纯)下列说法正确的是( )
A. | 步骤①的化学方程式为SiO2+C$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$Si+CO2↑ | |
B. | 步骤①②③中每生成或反应1 mol Si,转移4 mol 电子 | |
C. | 二氧化硅能与氢氟酸反应,也能与氢氧化钠溶液反应,属于两性氧化物 | |
D. | SiHCl3(沸点33.0℃)中含有少量的SiCl4(沸点67.6℃),通过蒸馏(或分馏)可提纯SiHCl3 |
7.设NA表示阿伏加德罗常数,下列说法正确的是( )
A. | 23 g钠与足量氧气充分反应,转移的电子个数为NA | |
B. | 1mol Cl2与水充分反应,转移的电子个数为NA | |
C. | 1mol Na2O2与水完全反应时转移电子数为2NA | |
D. | 18 g H2O含有的电子数为18NA |
4.在密闭容器里,A与B反应生成C,其反应速率分别用v(A)、v(B)、v(C)表示,已知3v(B)=2v(A)、2v(C)=3v(B),则此反应可表示为( )
A. | 2A+3B═2C | B. | A+3B═2C | C. | 3A+2B═3C | D. | A+B═C |