题目内容
偏钒酸铵(NH4VO3)主要用作催化剂、催干剂、媒染剂等。用沉淀法除去工业级偏钒酸铵中的杂质硅、磷的流程如下：
（1）碱溶时，下列措施有利于NH3逸出的是_____（填字母）。
A.升高温度 B.增大压吸 C．增大NaOH溶液的浓度
（2）①滤渣的主要成分为Mg3(PO4)2、MgSiO3，已知Ksp(MgSiO3)=2.4×l0-5.若滤液中c(SiO32-)=0.08mol/L，则c(Mg2+)=__________。
②由图可知，加入一定量的MgSO4溶液作沉淀剂时，随着温度的升高，除磷率下降，其原因是温度升高，Mg3(PO4)2溶解度增大和_______；但随着温度的升高，除硅率升高，其原因是______(用离子方程式表示)。
（3）沉钒时，反应温度需控制在50℃，在实验室可采取的加热方式为_______。
（4）探究NH4Cl的浓度对沉钒率的影响，设计实验步骤（常见试剂任选）：取两份10mL一定浓度的滤液A和B，分别加入lmL和10mL的1mol/LNH4Cl溶液，再向A中加入_______mL蒸馏水，控制两份溶液温度均为50℃、pH均为8，由专用仪器洲定沉钒率。加入蒸馏水的目的是______。
（5）偏钒酸铵本身在水中的溶解度不大，但在草酸(H2C2O4)溶液中因发生氧化还原反应而溶解，同时生成络合物(NH4)2[(VO)2(C2O4)3]，该反应的化学方程式为_________。
根据元素周期律，由下列事实进行归纳推测，推测不合理的是
选项 | 事实 | 推测 |
A | Mg与水反应缓慢，Ca与水反应较快 | Ba与水反应会更快 |
B | Si是半导体材料，同族的Ge也是半导体材料 | 第ⅣA族的元素的单质都可作半导体材料 |
C | HCl在1 500 ℃时分解，HI在230 ℃时分解 | HBr的分解温度介于二者之间 |
D | Si与H2高温时反应，S与H2加热能反应 | P与H2在高温时能反应 |
A. A B. B C. C D. D
（1）下列变化：①碘的升华；②氧气溶于水；③氯化钠溶于水；④烧碱熔化；⑤氯化氢溶于水；⑥氯化铵受热分解。（填序号）
化学键没有被破坏的是________；仅发生离子键破坏的是_______ ； 仅发生共价键破坏的是________；既发生离子键又发生共价键破坏的是_______。
（2）已知1mol Si中含1mol Si—Si键。
化学键 | Si—O | Si—Cl | H—H | H—Cl | Si—Si | Si—C |
键能/ kJ·mol－1 | 460 | 360 | 436 | 431 | 176 | 347 |
请回答下列问题：
①已知Si、SiC、SiO2熔化时必须断裂所含化学键，比较下列物质的熔点高低(填“>”或“<”)：SiC________Si。
②工业上高纯硅可通过下列反应制取：SiCl4(g)＋2H2(g)
Si(s)＋4HCl(g)，则2 mol H2生成高纯硅需________(填“吸收”或“放出”)能量________kJ。
