题目内容

将光敏电阻R、定值电阻R0、电流表、电压表、开关和电源连接成如图所示电路,光敏电阻的阻值随光照强度的增大而减小。闭合开关,逐渐增大光敏电阻的光照强度,观察电表示数的变化情况应该是(   )

A.A表示数变大,V表示数变小B.A表示数变小,V表示数变大
C.A表和V表示数均变小D.A表和V表示数均变大

D

解析试题分析:据图可知,两电阻串联,电压表测量定值电阻两端的电压,当增大光敏电阻的光照强度时,光敏电阻的阻值变小,所以串联电路的总电阻变小,根据欧姆定律I=U/R可知,电路的电流变大,即电流表示数变小所以B、C错误;
根据U2=IR2可知,当电流变大时,R2两端的电压变大,即电压表示数变大,所以A错误,D正确;
所以选择D。
考点:串联电路的电流、电压、电阻规律  欧姆定律及其应用

练习册系列答案
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(10分)阅读短文,回答问题:
巨磁电阻效应
1988年阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格尔发现,在铁、铬相间的三层复合膜电阻中,微弱的磁场可以导致电阻大小的急剧变化,这种现象被命名为“巨磁电阻效应”.
更多的实验发现,并非任意两种不同种金属相间的三层膜都具有“巨磁电阻效应”.组成三层膜的两种金属中,有一种是铁、钴、镍这三种容易被磁化的金属中的一种,另一种是不易被磁化的其他金属,才可能产生“巨磁电阻效应”.进一步研究表明,“巨磁电阻效应”只发生在膜层的厚度为特定值时.用R0表示未加磁场时的电阻,R表示加入磁场后的电阻,科学家测得铁、铬组成的复合膜R与R0之比与膜层厚度d(三层膜厚度均相同)的关系如乙图所示.1994年IBM公司根据“巨磁电阻效应”原理,研制出“新型读出磁头”,将磁场对复合膜阻值的影响转换成电流的变化来读取信息.

(1)以下两种金属组成的三层复合膜可能发生“巨磁电阻效应”的是      

A.铜、银B.铁、铜C.铜、铝D.铁、镍
(2)对铁、铬组成的复合膜,当膜层厚度是1.7nm时,这种复合膜电阻      (选填“具
有”或“不具有”)“巨磁电阻效应”.
(3)“新型读出磁头”可将微弱的        信息转化为电信息.
(4)铁、铬组成的复合膜,发生“巨磁电阻效应”时,其电阻R比未加磁场时的电阻R0         (选填
“大”或“小”)得多.
(5)丙图是硬盘某区域磁记录的分布情况,其中1表示有磁区域,0表示无磁区域.将“新型读出磁头”组成如图所示电路,当磁头从左向右匀速经过该区域过程中,电流表读数变化情况应是丁图中的       

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