题目内容

2.A、B、C、D四种常见元素信息如下:常温下,A元素的单质是第二周期主族元素形成的气体单质中最稳定的单质;B元素原子的M层有1对成对的p电子;C元素原子核外电子排布为[Ar]3d64sx,有+2、+3两种常见化合价;D原子核外电子有6种不同的运动状态,s轨道电子数是p轨道电子数的两倍.
(1)C3+在基态时,核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d5
(2)A元素与D元素的电负性大小关系为N>C (用元素符号表示).
(3)B元素的低价氧化物分子中心原子的杂化方式为sp2,B与D形成DB2分子的空间构型为直线型.
(4)已知DA-与A2结构相似,则HDA分子中б键与π键数目之比为1:1.
(5)D元素最高价氧化物的熔点比同主族相邻元素最高价氧化物的熔点低,其原因是晶体类型不同,二氧化碳形成分子晶体,二氧化硅形成原子晶体.
(6)E的原子序数比C大3.
①已知氧元素和E能形成晶胞如图1的两种化合物,化合物甲的化学式为CuO;高温时,甲易转化为乙的原因为CuO中Cu2+外围电子排布为3d9,而Cu2O中Cu+外围电子排布为3d10,属于稳定结构.

②E晶体的堆积方式如图2示,设E原子的半径为r cm,阿伏加德罗常数用NA表 示,则晶胞中E原子的配位数为12,E晶体的密度为$\frac{16}{\sqrt{2}{r}^{3}{N}_{A}}$g•cm-3(要求写表达式,可以不化简).

分析 常温下,A元素的单质是第二周期主族元素形成的气体单质中最稳定的单质,则A为N元素;B原子的M层有1对成对的p电子,外围电子排布为3s23p4,则B为S元素;C原子核外电子排布为[Ar]3d64sx,有+2、+3两种常见化合价,则C为Fe;D原子核外电子有6种不同的运动状态,s轨道电子数是p轨道电子数的两倍,则B原子核外有6个电子,则B为C元素,
(1)C为Fe元素,Fe3+在基态时核外23个电子;
(2)同周期随原子序数增大第一电离能呈增大趋势,N元素2p轨道容纳3个电子,处于半满稳定状态,能量较低,第一电离能高于同周期相邻元素;
(3)根据SO2中S原子的价层电子对数判断;S元素与C元素形成分子为CS2,与二氧化碳空间构型相同;
(4)根据HCN分子的结构式判断;
(5)二氧化碳形成分子晶体,二氧化硅形成原子晶体;
(6)E的原子序数比Fe大3,则E为Cu元素,
①利用均摊法计算;外围电子排布排布分析物质的稳定性;
②由Cu晶体的堆积方式可知,为面心立方密堆积,以顶角Cu原子研究,与之最近的Cu原子处于面心,每个顶点为12个面共用,故晶胞中Cu原子的配位数为12,晶胞中Cu原子数目=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,Cu原子半径为r,晶胞棱长=4r×$\frac{\sqrt{2}}{2}$=2$\sqrt{2}$r,故晶胞体积=(2$\sqrt{2}$r)3=16$\sqrt{2}$r3,根据ρ=$\frac{m}{V}$计算.

解答 解:常温下,A元素的单质是第二周期主族元素形成的气体单质中最稳定的单质,则A为N元素;B原子的M层有1对成对的p电子,外围电子排布为3s23p4,则B为S元素;C原子核外电子排布为[Ar]3d64sx,有+2、+3两种常见化合价,则C为Fe;D原子核外电子有6种不同的运动状态,s轨道电子数是p轨道电子数的两倍,则B原子核外有6个电子,则B为C元素;
(1)C为Fe元素,Fe3+在基态时,核外电子排布式为:1s22s22p63s23p63d5
故答案为:1s22s22p63s23p63d5
(2)同周期随原子序数增大第一电离能呈增大趋势,N元素2p轨道容纳3个电子,处于半满稳定状态,能量较低,第一电离能高于同周期相邻元素,故第一电离能由大到下的顺序为N>C;
故答案为:N>C;
(3)S元素的低价氧化物为SO2,分子中S原子价层电子对数=2+$\frac{1}{2}$(6-2×2)=3,S原子采取sp2杂化;S元素与C元素形成分子为CS2,与二氧化碳互为等电子体,结构式为S=C=S,空间构型为直线型,
故答案为:sp2;直线型;
(4)HCN分子的结构式为H-C≡N中含有2个σ键和2个π键,所以其数目之比为1:1;
故答案为:1:1;
(5)二氧化碳形成分子晶体,二氧化硅形成原子晶体,故二氧化碳晶体熔点比较二氧化硅低,
故答案为:晶体类型不同,二氧化碳形成分子晶体,二氧化硅形成原子晶体;
(6)E的原子序数比Fe大3,则E为Cu元素,
①甲中Cu原子数目为4,氧原子数目为8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,化学式为CuO,乙中Cu原子数目为4,氧原子数目为1+8×$\frac{1}{8}$=2,化学式为Cu2O,Cu2+外围电子排布为3d9,而Cu+外围电子排布为3d10,属于稳定结构,故高温下CuO可以转化为Cu2O;
故答案为:CuO;CuO中Cu2+外围电子排布为3d9,而Cu2O中Cu+外围电子排布为3d10,属于稳定结构;
②由Cu晶体的堆积方式可知,为面心立方密堆积,以顶角Cu原子研究,与之最近的Cu原子处于面心,每个顶点为12个面共用,故晶胞中Cu原子的配位数为12,晶胞中Cu原子数目=8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,Cu原子半径为r,晶胞棱长=4r×$\frac{\sqrt{2}}{2}$=2$\sqrt{2}$r,故晶胞体积=(2$\sqrt{2}$r)3=16$\sqrt{2}$r3
故晶胞的密度ρ=$\frac{m}{V}$=$\frac{\frac{4×64}{{N}_{A}}}{16\sqrt{2}{r}^{3}}$=$\frac{16}{\sqrt{2}{r}^{3}{N}_{A}}$g•cm-3
故答案为:12;$\frac{16}{\sqrt{2}{r}^{3}{N}_{A}}$.

点评 题是对物质结构的考查,涉及核外电子排布、电离能、分子结构、晶体类型与性质、晶胞结构与计算等,侧重对基础知识的综合应用的考查,(6)中解题的关键是计算晶胞的体积,题目难度中等.

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