摘要:砷化镓属于第三代半导体.它能直接将电能转变为光能.砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍.而耗能只有其10%.推广砷化镓等发光二极管(LED)照明.是节能减排的有效举措.已知砷化镓的晶胞结构如右图.试回答下列问题 (1)下列说法正确的是 . A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能:As>Ga C.电负性:As>Ga D.砷和镓都属于p区元素 E.半导体GaP.SiC与砷化镓为等电子体 (2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到. 该反应在700℃进行.反应的方程式为: .AsH3空间形状为: (CH3)3Ga中镓原子杂化方式为: . (3)Ga的核外电子排布式为: . (4)AsH3沸点比NH3低.其原因是: .
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砷化镓属于第三代半导体,它能直接将电能转变为光能,砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%,推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措,已知砷化镓的晶胞结构如图.试回答下列问题
(1)下列说法正确的是
BCDE
BCDE
(选填序号).A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能:As>Ga
C.电负性:As>Ga
D.砷和镓都属于p区元素
E.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到,该反应在700℃进行,反应的方程式为:
(CH3)3Ga+AsH3
GaAs+3CH4
| 700℃ |
(CH3)3Ga+AsH3
GaAs+3CH4
.| 700℃ |
AsH3空间形状为:
三角锥
三角锥
(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为:sp2
sp2
.(3)Ga的核外电子排布式为:
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
.(4)AsH3沸点比NH3低,其原因是:
NH3分子间能形成氢键,而As电负性小,半径大,分子间不能形成氢键
NH3分子间能形成氢键,而As电负性小,半径大,分子间不能形成氢键
.(1)下列离子中最外层电子数不为8的是
D
D
(选填序号).A.P3- B.Al3+ C.Ti4+ D.Ga3+
(2)下列说法正确的是
BC
BC
(选填序号).A.硼和镓都属于S区元素,磷、砷属于P区元素
B.第一电离能:As>Ga Mg>Al
C.根据等电子体原理,砷化镓、磷化硼的晶胞与氮化铝晶体相同且类似于单晶硅
D.NH3沸点高于AsH3,其原因是NH3分子中共价键强度较大
(3)砷化镓可由(CH3)3Ga和AsH3反应得到,该反应在700℃进行,反应的化学方程式为
(CH3)3Ga+AsH3
GaAs+3CH4
| 700℃ |
(CH3)3Ga+AsH3
GaAs+3CH4
;| 700℃ |
下列有机分子中碳原子的杂化方式与(CH3)3Ga分子中Ga原子的杂化方式相同的是
BDE
BDE
.(填序号)A.CH4B.CH2=CH2C.CH≡CH D.HCHO E.
(4)请画出三溴化磷分子的路易斯结构式
非极性
非极性
(填“极性”“非极性”)分子.甲醇分子间存在氢键,而甲醛没有
甲醇分子间存在氢键,而甲醛没有
;甲醛分子中C的杂化方式为sp2
sp2
,分子中共有1
1
个π键.(2)砷化镓属于第三代半导体,它能直接将电能转化为光能. 已知砷化镓的晶胞结构如右图.是回答下列问题:
①下列说法正确的是
BCD
BCD
(选填序号)A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能:As>Ga
C.电负性:As>Ga D.砷和镓都属于p区元素
②Ga的核外电子排布式为
1s22s22p63s23p63d104S24P1
1s22s22p63s23p63d104S24P1
.℃),甲醇是“假酒”中的主要有害物质(其沸点是64.65℃),甲醇的沸点明显高于甲醛的主要原因是
(2)砷化镓属于第三代半导体,它能直接将电能转化为光能.已知砷化镓的晶胞结构如图.回答下列问题:
①下列说法正确的是
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能:As>Ga
C.电负性:As>Ga
D.砷和镓都属于p区元素
②Ga的核外电子排布式为
③砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到,该反应在700℃进行,反应的方程式为
砷化镓属于第三代半导体,它能直接将电能转变为光能,砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%,推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措,已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题
(1)下列说法正确的是 (选填序号)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能:As>Ga
C.电负性:As>Ga
D.砷和镓都属于p区元素
E.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到, 该反应在700℃进行,反应的方程式为: 。
AsH3空间形状为: (CH3)3Ga中镓原子杂化方式为: 。
(3)Ga的核外电子排布式为: 。
(4)AsH3沸点比NH3低,其原因是: 。
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