摘要:氢气与四氯化硅的反应:2H2 + SiCl4 == 4HCl + Si
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计算机芯片和太阳能光伏发电最关键的材料是高纯硅(Si).在高温条件下,硅可以通过如下反应制备:
SiCl4+2H2
Si+4HCl;现有680Kg四氯化硅(SiCl4)与足量的氢气反应,理论上可以制的高纯硅(Si)的质量为多少?
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SiCl4+2H2
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写出下列反应的化学方程式:
(1)实验室用氯酸钾制氧气
(2)有两种气体生成的分解反应
(3)硅是信息技术的关键材料.高温下氢气与四氯化硅(SiCl4)反应可制得高纯度的硅,同时生成氯化氢.该反应的化学方程式为
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(1)实验室用氯酸钾制氧气
2KClO3
2KCl+3O2↑
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| △ |
2KClO3
2KCl+3O2↑
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| △ |
(2)有两种气体生成的分解反应
2H2O
2H2↑+O2↑
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2H2O
2H2↑+O2↑
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(3)硅是信息技术的关键材料.高温下氢气与四氯化硅(SiCl4)反应可制得高纯度的硅,同时生成氯化氢.该反应的化学方程式为
2H2+SiCl4
Si+4HCl
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2H2+SiCl4
Si+4HCl
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写出下列反应的化学方程式,并在括号内注明反应的基本类型:
(1)镁条在空气中燃烧
(2)高温下一氧化碳与氧化铁反应
(3)硅是信息技术的关键材料.高温下氢气与四氯化硅(SiCl4)反应可制得高纯度的硅,同时生成氯化氢.该反应的化学方程式为
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(1)镁条在空气中燃烧
2Mg+O2
2MgO
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2Mg+O2
2MgO
,
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化合
化合
反应;(2)高温下一氧化碳与氧化铁反应
Fe2O3+3CO
2Fe+3CO2
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Fe2O3+3CO
2Fe+3CO2
.
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(3)硅是信息技术的关键材料.高温下氢气与四氯化硅(SiCl4)反应可制得高纯度的硅,同时生成氯化氢.该反应的化学方程式为
2H2+SiCl4
Si+4HCl;置换
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2H2+SiCl4
Si+4HCl;置换
反应.
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用化学方程式描述下列事实:
(1)常温下,铝具有很好的抗腐蚀性能,用反应的化学方程式解释原因是
(2)用一氧化碳与赤铁矿(主要成分是Fe2O3)反应炼铁
(3)高温煅烧石灰石
(3)硅是信息技术的关键材料.高温下氢气与四氯化硅(SiCl4)反应可制得高纯度的硅,同时生成氯化氢气体.该反应的化学方程式为
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(1)常温下,铝具有很好的抗腐蚀性能,用反应的化学方程式解释原因是
4Al+3O2═2Al2O3
4Al+3O2═2Al2O3
;(2)用一氧化碳与赤铁矿(主要成分是Fe2O3)反应炼铁
3CO+Fe2O3
2Fe+3CO2
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3CO+Fe2O3
2Fe+3CO2
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(3)高温煅烧石灰石
CaCO3
CaO+CO2↑
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CaCO3
CaO+CO2↑
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(3)硅是信息技术的关键材料.高温下氢气与四氯化硅(SiCl4)反应可制得高纯度的硅,同时生成氯化氢气体.该反应的化学方程式为
2H2+SiCl4
Si+4HCl
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2H2+SiCl4
Si+4HCl
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写出下列反应的化学方程式:
(1)铁丝在氧气中燃烧:
(2)碳酸钠溶液与氢氧化钙溶液反应,生成氢氧化钠和碳酸钙:
(3)铝片插入到硫酸铜溶液中:
(4)硅是信息技术的关键材料.高温下氢气与四氯化硅(SiCl4)反应可制得高纯度的硅,同时生成氯化氢.该反应的化学方程式为
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(1)铁丝在氧气中燃烧:
3Fe+2O2
Fe3O4
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3Fe+2O2
Fe3O4
;
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(2)碳酸钠溶液与氢氧化钙溶液反应,生成氢氧化钠和碳酸钙:
Na2CO3+Ca(OH)2=2NaOH+CaCO3↓
Na2CO3+Ca(OH)2=2NaOH+CaCO3↓
;(3)铝片插入到硫酸铜溶液中:
2Al+3CuSO4=Al2(SO4)3+3Cu
2Al+3CuSO4=Al2(SO4)3+3Cu
(4)硅是信息技术的关键材料.高温下氢气与四氯化硅(SiCl4)反应可制得高纯度的硅,同时生成氯化氢.该反应的化学方程式为
2H2+SiCl4
Si+4HCl
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2H2+SiCl4
Si+4HCl
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