题目内容

短周期中五种元素A、B、C、D、E原子序数依次增大,其中A、B、C原子核外电子层数之和是5,且C原子最外层上的电子数为A和B两元素原子最外电子层上电子数的总和,C原子的价电子构型为nsnnpn+1,A原子的最外层电子数等于其电子层数.D和E可以形成原子个数比为1∶1和1∶2的两种离子化合物,且D原子的2p能级上有两个未成对电子,试回答下列问题:

(1)B、C、D、E四种元素的原子,半径从大到小的顺序是________(填元素符号或化学式,下同);第一电离能从大到小的顺序是________

(2)C原子的电子排布图________,D2-的结构示意图________.A、D可形成多种化合物,其中一种是氧化剂,其水溶液有弱酸性,写出该化合物的结构式________,分子中含有________键(填“极性”或“非极性”,下同)是________分子.

(3)A、B、D三种元素可以形成多种有机化合物分子,其中最简单原子数最少的一种是室内装潢时形成的主要气体污染物.试写出它的电子式________,根据价层电子对互斥(VSEPR)理论推测该分子中心原子的杂化方式为________杂化,空间构型为________.

(4)C和E形成一种离子化合物Y,其摩尔质量为65 g/mol,Y受热或撞击时立即分解为两种单质.则Y的化学式为________,Y的阴离子是一种弱酸根离子,全由C元素组成,Y与盐酸反应的离子方程式为________.

答案:
解析:

  (1)Na>C>N>O;N>O>C>Na

  (2)略,H-O-O-H,极性键和非极性键,极性

  (3)略;SP2;平面三角形

  (4)(2分)


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 (1)B、C、D、E四种元素的原子,半径从大到小的顺序是                      (填元素符号或化学式,下同);第一电离能从大到小的顺序是                

 (2)C原子的电子排布图_____________,D2-的结构示意图___________。A、D可形成多种化合物,其中一种是氧化剂,其水溶液有弱酸性,写出该化合物的结构式________________,分子中含有_____________________键(填“极性”或“非极性”,下同)是__________分子。

 (3) A、B、D三种元素可以形成多种有机化合物分子,其中最简单原子数最少的一种是室内装潢时形成的主要气体污染物。试写出它的电子式_         _,根据价层电子对互斥(VSEPR)理论推测该分子中心原子的杂化方式为    杂化,空间构型为__         

 (4) C和E形成一种离子化合物Y,其摩尔质量为65g/mol,Y受热或撞击时立即分解为两种单质。则Y的化学式为            ,Y的阴离子是一种弱酸根离子,全由C元素组成,Y与盐酸反应的离子方程式为                 

 

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(1)B、C、D、E四种元素的原子,半径从大到小的顺序是                      (填元素符号或化学式,下同);第一电离能从大到小的顺序是                
(2)C原子的电子排布图_____________,D2-的结构示意图___________。A、D可形成多种化合物,其中一种是氧化剂,其水溶液有弱酸性,写出该化合物的结构式________________,分子中含有_____________________键(填“极性”或“非极性”,下同)是__________分子。
(3) A、B、D三种元素可以形成多种有机化合物分子,其中最简单原子数最少的一种是室内装潢时形成的主要气体污染物。试写出它的电子式_        _,根据价层电子对互斥(VSEPR)理论推测该分子中心原子的杂化方式为    杂化,空间构型为__         
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 (1)B、C、D、E四种元素的原子,半径从大到小的顺序是                       (填元素符号或化学式,下同);第一电离能从大到小的顺序是                

 (2)C原子的电子排布图_____________,D2-的结构示意图___________。A、D可形成多种化合物,其中一种是氧化剂,其水溶液有弱酸性,写出该化合物的结构式________________,分子中含有_____________________键(填“极性”或“非极性”,下同)是__________分子。

 (3) A、B、D三种元素可以形成多种有机化合物分子,其中最简单原子数最少的一种是室内装潢时形成的主要气体污染物。试写出它的电子式_         _,根据价层电子对互斥(VSEPR)理论推测该分子中心原子的杂化方式为     杂化,空间构型为__         

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