题目内容
短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍．Y原子最外层只有2个电子，Z的单质可制成半导体材料，W与X属于同一主族．下列叙述正确的是（ ）
| A、元素X的简单氢化物的还原性比W的强 | B、元素W的最高价氧化物对应水化物的酸性比Z的弱 | C、原子半径的大小顺序：rY＞rz＞rw＞rx | D、化合物YX、ZX2、WX3中所有原子都满足最外层8电子稳定结构 |
分析：短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍，X有2个电子层，最外层电子数为6，故X为O元素，W与X属于同一主族，故W为S元素，Y原子的最外层只有2个电子，原子序数大于O元素，故Y处于第三周期，故Y为Mg元素，Z单质可制成半导体材料，Z为Si元素．
解答：解：短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大，X原子的最外层电子数是其内层电子总数的3倍，X有2个电子层，最外层电子数为6，故X为O元素，W与X属于同一主族，故W为S元素，Y原子的最外层只有2个电子，原子序数大于O元素，故Y处于第三周期，故Y为Mg元素，Z单质可制成半导体材料，Z为Si元素，
A、非金属性O＞S，故元素O的简单气态氢化物的还原性比S的弱，故A错误；
B、非金属Si＜S，故元素S的最高价氧化物对应水化物的酸性比Si的强，故B错误；
C、同周期自左而右，原子半径减小，同主族电子层越多原子半径越大，故原子半径Mg＞Si＞S＞O，即rY＞rZ＞rW＞rX，故C正确；
D、MgO、SiO2中所有原子都满足最外层8电子稳定结构，SO3中S原子不满足最外层8电子稳定结构，故D错误；
故选：C．
A、非金属性O＞S，故元素O的简单气态氢化物的还原性比S的弱，故A错误；
B、非金属Si＜S，故元素S的最高价氧化物对应水化物的酸性比Si的强，故B错误；
C、同周期自左而右，原子半径减小，同主族电子层越多原子半径越大，故原子半径Mg＞Si＞S＞O，即rY＞rZ＞rW＞rX，故C正确；
D、MgO、SiO2中所有原子都满足最外层8电子稳定结构，SO3中S原子不满足最外层8电子稳定结构，故D错误；
故选：C．
点评：本题考查结构性质与位置关系、元素周期律等，难度不大，推断元素是解题的关键．
练习册系列答案
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短周期元素X、Y、Z在元素周期表中的位置如图所示，下列说法正确的是（ ）碱金属元素可形成离子型氢化物，下表是同一短周期元素X、Y、Z三种元素氢化物的某些性质
则这三种元素的原子序数从大到小的排列顺序为（ ）
| 元素 | 熔点（℃） | 沸点（℃） | 与水作用 | 纯液体的导电性 |
| X | -183 | -162 | 不与水反应也不溶于水 | 不导电 |
| Y | -102 | 19 | 放热，形成的酸是弱酸 | 不导电 |
| Z | 680 | - | 剧烈反应生成H2，溶液呈碱性 | 导电 |
| A、X、Y、Z |
| B、Z、X、Y |
| C、Y、X、Z |
| D、Z、Y、X |
短周期元素X、Y、Z、M、R在周期表中的相对位置如图所示．下列说法中不正确的是（ ）
| X | Y | ||||
| Z | M | R | |||
| A、元素X和Y可以形成两种以上的气态化合物 |
| B、原子半径的大小顺序为：r（Z）＞r（M）＞r（R） |
| C、元素的最高价氧化物对应水化物的酸性R强于M |
| D、加热蒸干由元素R和Z形成的化合物的水溶液可以得到该化合物的晶体 |